[发明专利]一种柔性LED芯片及其制作方法、封装方法

说明书

本申请提供一种柔性LED芯片及其制作方法、封装方法，在柔性衬底上形成第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层。由于柔性衬底相对于蓝宝石衬底和硅衬底等硬质衬底，其厚度更薄，使得LED芯片的厚度更薄，散热更快。而通过在柔性衬底上形成两个过孔，在过孔中形成第一电极和第二电极，使得第一电极和第二电极裸露在柔性衬底的同一个表面，从而能够采用CSP工艺进行封装，使得封装后的LED芯片的厚度更薄，且封装工艺简单。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制作技术领域，尤其涉及一种柔性LED芯片及其制作方法、封装方法。

背景技术

LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同，可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。

随着LED芯片制作技术的不断提升，现有技术中LED芯片的可靠性和光电转换效率已经有较大提升，但是现有技术中通常在高温环境下，采用外延生长的方式在晶格较为匹配的衬底上依次生长缓冲层、N型层、多量子阱层(MQW)、P型层和欧姆接触层，晶格较为匹配的衬底一般为蓝宝石衬底或硅衬底，但是由于蓝宝石衬底和硅衬底需要为后续外延生长的LED外延结构层提供支撑，通常蓝宝石衬底和硅衬底的厚度较大，这就造成了LED芯片的厚度较大，出现散热慢或封装工艺繁琐的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种柔性LED芯片及其制作方法、封装方法，以解决现有技术中采用在蓝宝石衬底或硅衬底上外延生长各层结构的LED芯片存在厚度较大，导致的散热慢或封装工艺繁琐的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种柔性LED芯片制作方法，包括：

提供柔性衬底，所述柔性衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；

在所述柔性衬底上形成第一过孔和第二过孔；

在所述柔性衬底的所述第一表面形成第一电极和第二电极，所述第一电极填充所述第一过孔，并延伸至所述柔性衬底的第二表面，所述第二电极填充所述第二过孔，并延伸至所述柔性衬底的第二表面；

在所述柔性衬底上所述第二电极之外的区域依次形成第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；

在所述第二电极和所述第一型半导体层、所述多量子阱层之间的区域沉积钝化层，所述钝化层背离所述柔性衬底的表面至少高于所述多量子阱层和所述第二型半导体层的交界面；

溅射欧姆接触层，所述欧姆接触层连接所述第二电极和所述第二型半导体层；

快速热退火。

本发明还提供一种柔性LED芯片，采用上面所述的制作方法制作形成，所述柔性LED芯片包括：

柔性衬底，所述柔性衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；

位于所述柔性衬底第一表面的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均通过所述柔性衬底上的过孔延伸至所述柔性衬底的第二表面；

位于所述柔性衬底第二表面上，沿背离所述柔性衬底方向上依次设置的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层与所述第一电极欧姆接触；

钝化层，所述钝化层隔绝所述第二电极和所述第一型半导体层、所述多量子阱层；

欧姆接触层，所述欧姆接触层覆盖所述钝化层、所述第二电极和所述第二型半导体层，并使所述第二电极和所述第二型半导体层欧姆接触。

本发明还提供一种柔性LED芯片封装方法，包括：