[发明专利]一种柔性LED芯片及其制作方法、封装方法

权利要求书

1.一种柔性LED芯片制作方法，其特征在于，包括：

提供柔性衬底，所述柔性衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；

在所述柔性衬底上形成第一过孔和第二过孔；

在所述柔性衬底的所述第一表面形成第一电极和第二电极，所述第一电极填充所述第一过孔，并延伸至所述柔性衬底的第二表面，所述第二电极填充所述第二过孔，并延伸至所述柔性衬底的第二表面；

在所述柔性衬底上所述第二电极之外的区域采用溅射工艺依次形成第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；

在所述第二电极和所述第一型半导体层、所述多量子阱层之间的区域沉积钝化层，所述钝化层背离所述柔性衬底的表面至少高于所述多量子阱层和所述第二型半导体层的交界面；

溅射欧姆接触层，所述欧姆接触层连接所述第二电极和所述第二型半导体层；

快速热退火；

其中，所述在所述柔性衬底上所述第二电极之外的区域依次形成第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，具体包括：

采用第一光刻胶遮挡所述柔性衬底第二表面的所述第二电极区域；

采用溅射工艺在所述柔性衬底上未被遮挡区域依次溅射形成第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；

去除所述第一光刻胶。

2.根据权利要求1所述的柔性LED芯片制作方法，其特征在于，所述采用溅射工艺在所述柔性衬底上未被遮挡区域依次溅射形成第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，具体包括：

提供第一型半导体层靶材、第二型半导体层靶材、势垒层靶材、势阱层靶材；

在溅射腔体内安装所述第一型半导体层靶材；

在所述柔性衬底上未被遮挡区域溅射形成第一型半导体层；

在所述溅射腔体内交替安装所述势垒层靶材和所述势阱层靶材；

在所述第一型半导体层上交替形成多个势垒层和多个势阱层，组成多量子阱层；

在所述溅射腔内安装所述第二型半导体层靶材；

在所述多量子阱层上形成第二型半导体层。

3.根据权利要求2所述的柔性LED芯片制作方法，其特征在于，所述提供第一型半导体层靶材、第二型半导体层靶材、势垒层靶材、势阱层靶材，具体包括：

提供四片半导体衬底，包括第一型掺杂半导体衬底、第二型掺杂半导体衬底、第一半导体衬底和第二半导体衬底；

在四片所述半导体衬底上均生长蚀刻截止层；

在所述第一型掺杂半导体衬底的蚀刻截止层上形成第一型半导体材料、在所述第二型掺杂半导体衬底的蚀刻截止层上形成第二型半导体材料、在所述第一半导体衬底上的蚀刻截止层上形成势垒层材料、在所述第二半导体衬底上的蚀刻截止层上形成势阱层材料形成组合片；

将四个组合片分别套上靶材套环；

去除四个组合片上的半导体衬底和蚀刻截止层，形成第一型半导体层靶材、第二型半导体层靶材、势垒层靶材、势阱层靶材。

4.根据权利要求3所述的柔性LED芯片制作方法，其特征在于，所述第一型掺杂半导体衬底、所述第二型掺杂半导体衬底、所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底的衬底材质相同，为GaN、GaAs或AlGaN。

5.根据权利要求1所述的柔性LED芯片制作方法，其特征在于，所述在所述柔性衬底上所述第二电极之外的区域依次形成第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，具体包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次外延生长蚀刻截止层、所述第一型半导体层、所述多量子阱层和所述第二型半导体层；

将所述第二型半导体层与所述柔性衬底的第二表面进行键合；

剥离所述半导体衬底；

蚀刻去除所述柔性衬底第二表面上第二电极区域对应的所述第一型半导体层、所述多量子阱层和所述第二型半导体层，裸露出所述第二电极。

6.根据权利要求5所述的柔性LED芯片制作方法，其特征在于，所述半导体衬底的材质为GaN、GaAs或AlGaN。