[发明专利]半导体封装装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810066753.0 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109390293B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 黄礼智 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装装置，其包括：
衬底；
所述衬底上的电组件，所述电组件具有面向所述衬底的有源表面及与所述有源表面相反的背表面，所述背表面具有第一部分及围绕所述第一部分的第二部分，其中所述电组件包括多个柱，所述多个柱从所述第一部分突出；以及
所述衬底上的封装主体，所述封装主体封装所述电组件并且暴露所述电组件的所述背表面；
其中所述多个柱的底部之间的表面与所述封装主体的顶表面大体上共面或高于所述顶表面。
2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述电组件与所述封装主体之间的分界面与所述电组件的所述背表面的所述第二部分大体上共面或低于所述第二部分。
3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述电组件的所述背表面的所述第一部分的最高部分高于所述电组件与所述封装主体之间的分界面。
4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述多个柱是纳米柱。
5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述柱的最高部分高于所述电组件与所述封装主体之间的分界面，且其中所述封装主体具有连接所述分界面的侧表面的弧面。
6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述柱是所述电组件的部分。
7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述电组件进一步包括在所述有源表面与所述背表面之间延伸的侧表面，并且所述侧表面界定多个孔，其中所述多个孔中的其中一者从所述第二部分向所述第一部分延伸。
8.根据权利要求7所述的半导体封装装置，其中所述孔的深度或宽度呈纳米尺度。
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