[发明专利]基板切割方法及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管；

在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成平坦层；

在形成有所述平坦层的衬底基板上形成第一电极层；

在形成有所述第一电极层的衬底基板上形成发光层；

在形成有所述发光层的衬底基板上形成第二电极层；

在形成有所述第二电极层的衬底基板上形成封装层；

其中，在所述在衬底基板上形成薄膜晶体管的步骤中，在所述衬底基板上形成所述薄膜晶体管的任意一层导电金属层的图形的同时，形成切割线图形；

在所述在形成有所述第二电极层的衬底基板上形成封装层之后，使电流通过所述切割线，以产生电流热效应；并冷却所述衬底基板的所述切割线所在表面，以使所述衬底基板沿所述切割线断开。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述导电金属层为栅极层或者遮光金属层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述使电流通过所述切割线，以产生电流热效应的步骤中，在所述切割线的两端施加恒定电压，或者向所述切割线通入恒定电流，以使电流通过所述切割线。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述衬底基板沿所述切割线断开需要的热量满足下述公式：

Q＝Cm(T₁-T₂)

其中，Q为所述衬底基板沿所述切割线断开需要的热量；

C为比热容；

m为所述切割线的质量，m＝ρ₀SL，ρ₀为所述切割线的密度；S为所述切割线的横截面积；L为所述切割线的长度；

T₁为所述切割线通电后的温度；

T₂为所述衬底基板冷却后的温度。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述恒定电压满足下述公式：

U²t/R＝Q

其中，U为所述恒定电压；

t为电流通过所述切割线的时间；

R为所述切割线的电阻；

Q为所述衬底基板沿所述切割线断开需要的热量。

6.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述恒定电流满足下述公式：

I²Rt＝Q

其中，I为所述恒定电流；

t为电流通过所述切割线的时间；

R为所述切割线的电阻；

Q为所述衬底基板沿所述切割线断开需要的热量。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述冷却所述衬底基板，以使所述衬底基板沿所述切割线断开的步骤中，采用冷却气体或者冷却液体冷却所述衬底基板的所述切割线所在表面。