[发明专利]一种显示基板的制作方法及显示基板有效

申请号：	201810059811.7	申请日：	2018-01-22
公开（公告）号：	CN108281382B	公开（公告）日：	2021-01-15
发明（设计）人：	李海旭	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L21/77	分类号：	H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	刘伟;蔡丽
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种显示制作方法
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【说明书】：

本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示基板的制作方法及显示基板。显示基板的制作方法包括：在形成低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。本发明采用氧化性清洗液清洗低温多晶硅有源层，将低温多晶硅表面残留的离子氧化后去除；然后采用干法刻蚀，去除低温多晶硅有源层的表面的氧化硅。由于所用试剂均不会与金属氧化物有源层发生反应，不会对金属氧化物有源层造成损伤。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示基板的制作方法及显示基板。

背景技术

OLED显示面板具有基于有机发光二极管的像素阵列。每个像素包括有机发光二极管和用于控制向有机发光二极管施加信号的薄膜晶体管。

在众多种类的薄膜晶体管中，低温多晶硅薄膜晶体管具有稳定性高，制作温度低、成本低等优势；金属氧化物薄膜晶体管具有漏电流低、尺寸小、制作方法简单等优势。低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，特别适用于AMOLED(Active Matrix/OrganicLight Emitting Diode，即有源矩阵有机发光二极体)产品。

在制作同时具备低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管的显示面板时：在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，一般利用氟化氢对低温多晶硅有源层进行清洗，以去除多晶硅表面残余的离子及氧化硅。由于氟化氢的腐蚀性较强，在处理低温多晶硅有源层的同时，对金属氧化物有源层具有较大影响，容易造成金属氧化物有源层的损伤。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板的制作方法及显示基板，所述显示基板的制作方法中，可有效去除低温多晶硅有源层的表面残留的离子和氧化硅，而且不会对金属氧化物有源层造成损伤。

本发明公开了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，所述制作方法还包括：

利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；

对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。

优选地，所述氧化性清洗液包括以下组分：

2～10wt％的HNO₃；

2～10wt％的H₂SO₄；

2～10wt％的H₂O₂；

1～5wt％的NH₄NO₃和/或(NH₄)₂SO₄；

0.5～5wt％表面活性剂；

余量的水。