[发明专利]一种显示基板的制作方法及显示基板

权利要求书

1.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的低温多晶硅有源层和金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层后，所述制作方法还包括：

利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层，去除所述低温多晶硅有源层表面残留的离子；

对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀，去除所述低温多晶硅有源层表面的氧化硅。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化性清洗液包括以下组分：

2～10wt％的HNO₃；

2～10wt％的H₂SO₄；

2～10wt％的H₂O₂；

1～5wt％的NH₄NO₃和/或(NH₄)₂SO₄；

0.5～5wt％表面活性剂；

余量的水。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氧化性清洗液包括以下组分：

3～8wt％的HNO₃；

5～8wt％的H₂SO₄；

5～9wt％的H₂O₂；

3～5wt％的NH₄NO₃和/或(NH₄)₂SO₄；

2～4wt％的表面活性剂；

余量的水。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用CF₄对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述表面活性剂为聚醚类表面活性剂、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基二醇酰胺、甲氧基脂肪酰胺基苯磺酸钠或者氟碳类表面活性剂。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅有源层上覆盖有绝缘层，利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层之前，还包括：

形成贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述利用氧化性清洗液清洗所述低温多晶硅有源层包括：

通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；

对清洗后的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀包括：

通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成所述低温多晶硅有源层；

形成覆盖所述低温多晶硅有源层的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上通过一次构图工艺形成所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；

形成覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极和金属氧化物薄膜晶体管的栅电极的层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成所述金属氧化物薄膜晶体管的金属氧化物有源层；

对所述层间绝缘层和所述栅绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔暴露出所述低温多晶硅有源层；

通过所述过孔，利用氧化性清洗液清洗暴露出的所述低温多晶硅有源层；

通过所述过孔对暴露出的所述低温多晶硅有源层的表面进行干法刻蚀。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅有源层表面残留的离子包括硼离子和磷离子。

10.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求1～9任意一项所述的制作方法制备得到。