[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，通过在由金属氧化物半导体材料制备的有源层中掺入氧离子与氢离子，调控有源层的阈值电压。在制备薄膜晶体管时，各子刻蚀阻挡层是采用等离子体增强化学气相沉积工艺分步沉积得到的，以在沉积各子刻蚀阻挡层时选择性的使金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子，从而调控金属氧化物半导体材料中掺入氧离子的量和掺入氢离子的量。这样可以在不增加额外的掺杂工艺的情况下，使金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子，从而可以降低工艺制备难度，降低制备成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，已成为显示行业的研究热点之一。由于OLED属于电流驱动，需要稳定的电流来控制其发光。因此OLED显示器中一般设置像素电路以驱动OLED发光。一般像素电路由多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)组成，以产生驱动电流驱动OLED发光。而驱动电流与薄膜晶体管的阈值电压V_th相关，因此在实际应用中，一般是根据不同应用环境的需求，在制备薄膜晶体管时，对薄膜晶体管的有源层进行额外的掺杂工艺，以将薄膜晶体管的阈值电压V_th进行相应设计，使阈值电压控制在一定大小范围内以满足应用需求，这使得薄膜晶体管的制备工艺较为繁琐，制备成本较高。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，用以降低制备工艺复杂度、降低成本。

因此，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的有源层、覆盖所述有源层的刻蚀阻挡层、通过贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接的源漏极；所述刻蚀阻挡层包括层叠设置的至少两层子刻蚀阻挡层，所述有源层包括掺入氧离子和氢离子的金属氧化物半导体材料。

可选地，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，各所述子刻蚀阻挡层为二氧化硅层。

可选地，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述金属氧化物半导体材料包括：氧化铟镓锌。

可选地，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述氧化铟镓锌中掺入氧离子的量大于零且小于0.1％，所述氧化铟镓锌中掺入氢离子的量大于零且小于0.01％。

相应地，本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括：本发明实施例提供的上述任一种薄膜晶体管。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的上述阵列基板。

相应地，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在衬底基板上形成有源层的图形；其中，所述有源层包括金属氧化物半导体材料；

分别采用等离子体增强化学气相沉积工艺，在所述有源层上形成覆盖所述有源层且层叠设置的至少两层子刻蚀阻挡层以及贯穿各所述子刻蚀阻挡层的过孔的图形，以形成刻蚀阻挡层以及使所述金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子；

在所述刻蚀阻挡层上形成通过贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接的源漏极。

可选地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，所述形成刻蚀阻挡层以及使所述金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子，具体包括：