[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的有源层、覆盖所述有源层的刻蚀阻挡层、通过贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接的源漏极；其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括层叠设置的至少两层子刻蚀阻挡层，所述有源层包括掺入氧离子和氢离子的金属氧化物半导体材料。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各所述子刻蚀阻挡层为二氧化硅层。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料包括：氧化铟镓锌。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化铟镓锌中掺入氧离子的量大于零且小于0.1％，所述氧化铟镓锌中掺入氢离子的量大于零且小于0.01％。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括：如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。

6.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求5所述的阵列基板。

7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成有源层的图形；其中，所述有源层包括金属氧化物半导体材料；

分别采用等离子体增强化学气相沉积工艺，在所述有源层上形成覆盖所述有源层且层叠设置的至少两层子刻蚀阻挡层以及贯穿各所述子刻蚀阻挡层的过孔的图形，以形成刻蚀阻挡层以及使所述金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子；

在所述刻蚀阻挡层上形成通过贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接的源漏极。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述形成刻蚀阻挡层以及使所述金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子，具体包括：

分别采用所述等离子体增强化学气相沉积工艺，充入N₂O与SiH₄，并在功率为4000～20000W、极板间距为550～1100mils、腔体压力为700～2000m Torr、沉积时间为30～120s的条件下，在所述金属氧化物半导体材料上形成覆盖所述有源层的至少两层二氧化硅层以及贯穿各所述二氧化硅层的过孔的图形，并使所述金属氧化物半导体材料中掺入氧离子和氢离子。