[发明专利]钨的化学机械抛光方法

权利要求书

1.一种化学机械抛光钨的方法，包含：

提供包含钨和电介质的衬底；

提供包含以下作为初始组分的化学机械抛光组合物：

水；

氧化剂；

硫醇烷氧基化合物；

胶态二氧化硅研磨剂；

二羧酸，

三价铁离子离子源；以及，

任选地，pH调节剂；

提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；

在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处产生动态接触；以及

将所述化学机械抛光组合物分配到所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处或所述界面附近的所述化学机械抛光垫的所述抛光表面上，以去除至少一些所述钨。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学机械抛光组合物的所述硫醇烷氧基化合物具有下式：

其中R₁包含氢、羟基、硫醇、羧基或直链或支链C₁-C₄烷基；R₂和R₃是相同或不同的并且包含氢或直链或支链C₁-C₄烷基；m、n和q是整数，其中m是1至4的整数，n是1至6的整数并且q是1至2的整数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所提供的所述化学机械抛光组合物在80转/分的压板速度、81转/分的载体速度、125mL/min的化学机械抛光组合物流动速率、在以及，其中所述化学机械抛光垫包含含有聚合中空型芯微粒子的聚氨基甲酸酯抛光层和聚氨基甲酸酯浸渍无纺子垫。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所提供的所述化学机械抛光组合物包含以下作为初始组分：

所述水；

0.01至10重量％的所述氧化剂，其中所述氧化剂是过氧化氢；

50至1000ppm的所述硫醇烷氧基化合物；

0.01至10重量％的所述胶态二氧化硅研磨剂；

1至2,600ppm的所述二羧酸；

100至1,000ppm的所述三价铁离子离子源，其中所述三价铁离子离子源是九水合硝酸铁；以及，

任选地，所述pH调节剂；

其中所述化学机械抛光组合物的pH值是1至7。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所提供的所述化学机械抛光组合物在80转/分的压板速度、81转/分的载体速度、125mL/min的化学机械抛光组合物流动速率、在以及，其中所述化学机械抛光垫包含含有聚合中空型芯微粒子的聚氨基甲酸酯抛光层和聚氨基甲酸酯浸渍无纺子垫。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所提供的所述化学机械抛光组合物包含以下作为初始组分：

所述水；

0.1至5重量％的所述氧化剂，其中所述氧化剂是过氧化氢；

50至800ppm的所述硫醇烷氧基化合物；

0.05至7.5重量％的所述胶态二氧化硅研磨剂；

100至1,400ppm的所述二羧酸；

150至750ppm的所述三价铁离子离子源，其中所述三价铁离子离子源是硝酸铁；以及，

任选地，所述pH调节剂；

其中所述化学机械抛光组合物的pH值是1.5至4.5。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所提供的所述化学机械抛光组合物在80转/分的压板速度、81转/分的载体速度、125mL/min的化学机械抛光组合物流动速率、在以及，其中所述化学机械抛光垫包含含有聚合中空型芯微粒子的聚氨基甲酸酯抛光层和聚氨基甲酸酯浸渍无纺子垫。