[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810052484.2 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN109524389B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 筑山慧至;青木秀夫;后藤善秋 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B80/00 | 分类号： | H10B80/00;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于具备：
衬底；
金属板，具有第1方向的第1宽度及与所述第1方向正交的第2方向的第2宽度；
第1半导体芯片，设置在所述金属板与所述衬底之间，且具有所述第1方向的第3宽度与所述第2方向的第4宽度；
第2半导体芯片，设置在所述第1半导体芯片与所述衬底之间；以及
树脂材料，覆盖所述金属板、所述第1半导体芯片、及所述第2半导体芯片；且
所述第1宽度小于所述第3宽度，所述第2宽度小于所述第4宽度；
所述金属板具有第1突出部、第2突出部、第3突出部、及第4突出部，所述第1突出部、所述第2突出部、所述第3突出部、及所述第4突出部在所述树脂材料的侧面露出。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述金属板具有在所述第1方向上平行且相互对向的第1边及第2边、及在所述第2方向上平行且相互对向的第3边及第4边，
所述第1突出部及所述第2突出部设置在所述第1边，所述第3突出部及所述第4突出部设置在所述第2边。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：将所述第1突出部与所述第3突出部假想性地连结的线段、将所述第1突出部与所述第4突出部假想性地连结的线段、将所述第2突出部与所述第3突出部假想性地连结的线段、及将所述第2突出部与所述第4突出部假想性地连结的线段与所述第2方向斜交。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1突出部具有第1部分、及位于较所述第1部分更靠前端侧且厚度薄于所述第1部分的第2部分。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1突出部具有第1区域，所述第1区域具有朝向前端而宽度变细的圆锥形状。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：所述第1突出部具有第2区域，所述第2区域位于较所述第1区域更靠前端侧且具有大致固定的宽度。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于还具备树脂层，所述树脂层设置在所述金属板与所述第1半导体芯片之间。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：所述衬底为电路衬底。
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