[发明专利]一种改进的伪四线测试方法及其测试结构有效

专利信息
申请号: 201810050675.5 申请日: 2018-01-18
公开(公告)号: CN108254672B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 王磊 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 改进 伪四线 测试 方法 及其 结构
【权利要求书】:

1.一种改进的伪四线测试方法,其特征在于,包括下列步骤:

在测试设备输入端分别接入DPS电源高位激励端和测试通道输入端;

获取测试设备输出端的负载电流测试数据和建立时间数据;

获取测试设备输出端的输出电压数据,其中,所述测试设备连接有接地的低位激励端和接地的低位测量端。

2.根据权利要求1所述的改进的伪四线测试方法,其特征在于,所述测试设备为稳压器。

3.一种改进的伪四线测试结构,其特征在于,包括:

DPS电源高位激励端,连接于测试设备的输入端;

测试通道输入端,连接于测试设备的输入端;

负载电流测试数据和建立时间数据测试接口,连接于所述测试设备的输出端;

输出电压数据测试接口,连接于所述测试设备的输出端,其中,所述测试设备连接有接地的低位激励端和接地的低位测量端。

4.根据权利要求3所述的改进的伪四线测试结构,其特征在于,所述测试设备为稳压器。

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