[发明专利]一种改进的伪四线测试方法及其测试结构有效
| 申请号: | 201810050675.5 | 申请日: | 2018-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN108254672B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
| 发明(设计)人: | 王磊 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改进 伪四线 测试 方法 及其 结构 | ||
1.一种改进的伪四线测试方法,其特征在于,包括下列步骤:
在测试设备输入端分别接入DPS电源高位激励端和测试通道输入端;
获取测试设备输出端的负载电流测试数据和建立时间数据;
获取测试设备输出端的输出电压数据,其中,所述测试设备连接有接地的低位激励端和接地的低位测量端。
2.根据权利要求1所述的改进的伪四线测试方法,其特征在于,所述测试设备为稳压器。
3.一种改进的伪四线测试结构,其特征在于,包括:
DPS电源高位激励端,连接于测试设备的输入端;
测试通道输入端,连接于测试设备的输入端;
负载电流测试数据和建立时间数据测试接口,连接于所述测试设备的输出端;
输出电压数据测试接口,连接于所述测试设备的输出端,其中,所述测试设备连接有接地的低位激励端和接地的低位测量端。
4.根据权利要求3所述的改进的伪四线测试结构,其特征在于,所述测试设备为稳压器。
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