[发明专利]一种掩膜版及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810043444.1 申请日: 2018-01-17
公开(公告)号: CN108563098A 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 白金超;郭会斌;刘明悬;韩笑;丁向前;宋勇志 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G03F1/62 分类号: G03F1/62
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 曝光结构 遮光膜层 掩膜版 滤光膜层 相对两侧 曝光量 基板 制备 简化制备工艺 曝光
【说明书】:

发明公开了一种掩膜版及其制备方法,该掩膜版包括:基板,以及位于所述基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构;其中,所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层,所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧;所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。通过在至少紧邻第一遮光膜层的相对两侧设置滤光膜层,可以使第一遮光膜层的相对两侧的曝光量减少,避免通过第一曝光结构形成的图形出现过曝光现象,从而使对曝光量要求不同的待形成图形可以通过设置有第一曝光结构和第二曝光结构的一道掩膜版来形成,以简化制备工艺。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种掩膜版及其制备方法。

背景技术

在显示面板的行业中,对阵列基板等进行制作时,通常会用到掩膜版来形成阵列基板上的图形,因此,选择合适的掩膜版会简化阵列基板制作的工艺步骤,以节约制作成本。

现有技术中,在对阵列基板进行构图时,需要相同条件能够形成的图形通过一次构图工艺来形成,即通过一道掩膜版,在相同曝光强度下进行构图。但是,在对掩膜版进行构图时,很多待形成图形对曝光量的要求是不同的,这就需要通过两道掩膜版来进行构图才能形成与预设图形相同的阵列基板;假如,对曝光量要求不同的两个待形成图形采用一道掩膜版进行制备的话,就会存在其中一个待形成图形过曝光或者其中一个待形成图形曝光不足的情况。

因此,如何采用一道掩膜版对曝光量要求不同的待形成图形进行制备,以简化制备工艺是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供一种掩膜版及其制备方法,用以解决现有技术中对曝光量要求不同的两个待形成图形不能一道掩膜版进行制备的技术问题。

因此,本发明实施例提供的一种掩膜版,包括:基板,以及位于所述基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构;其中,

所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层,所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧;

所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。

在一种可能的实现方式中,本发明实施例提供的上述掩膜版,所述滤光膜层仅设置于紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧。

在一种可能的实现方式中,本发明实施例提供的上述掩膜版,所述第一遮光膜层在所述基板的正投影在所述滤光膜层在所述基板上的正投影内。

在一种可能的实现方式中,本发明实施例提供的上述掩膜版,所述滤光膜层位于所述基板与所述第一遮光膜层之间。

在一种可能的实现方式中,本发明实施例提供的上述掩膜版,所述滤光膜层位于所述第一遮光膜层背向所述基板的一侧。

在一种可能的实现方式中,本发明实施例提供的上述掩膜版,所述第一曝光结构用于形成金属线,所述第二曝光结构用于形成沟道,所述相对两侧为平行于所述金属线延伸方向的两侧。

在一种可能的实现方式中,本发明实施例提供的上述掩膜版,所述第一遮光膜层和所述第二遮光膜层的材料均包括铬钼氧化物。

相应地,本发明实施例还提供了一种掩膜版的制备方法,包括:

在所述基板上形成所述第一遮光膜层的图形、所述第二遮光膜层的图形和所述滤光膜层的图形;

其中,所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层,所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧;

所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。

在一种可能的实现方式中,本发明实施例提供的上述掩膜版的制备方法,在所述基板上形成所述第一遮光膜层的图形、所述第二遮光膜层的图形和所述滤光膜层的图形,具体包括:

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