[发明专利]一种掩膜版及其制备方法在审
| 申请号： | 201810043444.1 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108563098A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 白金超;郭会斌;刘明悬;韩笑;丁向前;宋勇志 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曝光结构 遮光膜层 掩膜版 滤光膜层 相对两侧 曝光量 基板 制备 简化制备工艺 曝光 | ||
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：基板，以及位于所述基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构；其中，
所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧；
所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述滤光膜层仅设置于紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧。
3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一遮光膜层在所述基板的正投影在所述滤光膜层在所述基板上的正投影内。
4.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述滤光膜层位于所述基板与所述第一遮光膜层之间。
5.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述滤光膜层位于所述第一遮光膜层背向所述基板的一侧。
6.如权利要求1-5任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述第一曝光结构用于形成金属线，所述第二曝光结构用于形成沟道，所述相对两侧为平行于所述金属线延伸方向的两侧。
7.如权利要求1-5任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述第一遮光膜层和所述第二遮光膜层的材料均包括铬钼氧化物。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的掩膜版的制备方法，其特征在于，包括：
在所述基板上形成所述第一遮光膜层的图形、所述第二遮光膜层的图形和所述滤光膜层的图形；
其中，所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧；
所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。
9.如权利要求8所述的掩膜版的制备方法，其特征在于，在所述基板上形成所述第一遮光膜层的图形、所述第二遮光膜层的图形和所述滤光膜层的图形，具体包括：
采用一次构图工艺在所述基板上形成所述第一遮光膜层和所述第二遮光膜层的图形；
采用一次构图工艺仅在紧邻所述第一遮光膜层的所述相对两侧形成所述滤光膜层的图形。
10.如权利要求8所述的掩膜版的制备方法，其特征在于，在所述基板上形成所述第一遮光膜层的图形、所述第二遮光膜层的图形和所述滤光膜层的图形，具体包括：
采用一次构图工艺在所述基板上形成所述第一遮光膜层和所述第二遮光膜层的图形；
采用一次构图工艺在所述第一遮光膜层背向所述基板的一侧形成所述滤光膜层的图形。
11.如权利要求8所述的掩膜版的制备方法，其特征在于，在所述基板上形成所述第一遮光膜层的图形、所述第二遮光膜层的图形和所述滤光膜层的图形，具体包括：
采用一次构图工艺在所述基板上形成所述滤光膜层的图形；
采用一次构图工艺在所述滤光膜层背向所述基板的一侧形成所述第一遮光膜层的图形，同时在所述基板上形成所述第二遮光膜层的图形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810043444.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种放射科取片装置
- 下一篇：一种丝网印刷感光胶的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
