[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质在审
申请号: | 201810039204.4 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN108335996A | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 福井祥吾;内田范臣;小原隆宪;篠原英隆;锦户修一;浦智仁;元山祐弥 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 上表面 下表面 基板 处理液 处理液供给机构 基板处理装置 存储介质 基板处理 对基板 液处理 基板保持旋转部 基板旋转 并行 清洗 污染 | ||
1.一种基板处理装置,通过对基板供给处理液来对基板进行液处理,所述基板处理装置的特征在于,具备:
基板保持旋转部,其保持基板并使该基板旋转;
处理液供给机构,其对基板的上表面供给处理液;以及
刷,在利用所述处理液供给机构供给处理液时,该刷一边使清洗体与所述基板的上表面接触并使所述清洗体旋转,一边清洗所述基板,
其中,所述刷的清洗体的周缘部具有在侧视时向外侧翘曲的形状。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述刷包括第一清洗体和由比所述第一清洗体硬的材料形成的第二清洗体,所述第一清洗体的周缘部具有向外侧翘曲的形状。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
在比所述第一清洗体靠径向内侧的位置配置有多个所述第二清洗体。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一清洗体为海绵状材料。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二清洗体为植毛。
6.一种基板处理装置,通过对基板供给处理液来对基板进行液处理,所述基板处理装置的特征在于,具备:
基板保持旋转部,其保持基板并使该基板旋转;
第一处理液供给机构,其对基板的上表面供给处理液;
第二处理液供给机构,其对基板的下表面供给处理液;以及
控制部,其对使用了所述第一处理液供给机构和所述第二处理液供给机构的处理进行控制,
其中,在一边利用所述基板保持旋转部使基板旋转一边并行地进行基板的上表面和下表面的液处理之后,在使基板的上表面和下表面的液处理这两方结束时,所述控制部先使所述第一处理液供给机构对所述基板的上表面的处理液的供给结束,之后,使所述第二处理液供给机构对所述基板的下表面的处理液的供给结束。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部先使所述第一处理液供给机构对所述基板的上表面的处理液的供给结束,在残存的处理液由于所述基板的旋转的离心力而被从所述基板的上表面去除之后,使所述第二处理液供给机构对所述基板的下表面的处理液的供给结束。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理装置,其特征在于,
在使所述基板的上表面和下表面的液处理这两方开始时,所述控制部先使所述第二处理液供给机构对所述基板的下表面的处理液的供给开始,之后,使所述第一处理液供给机构对所述基板的上表面的处理液的供给开始。
9.根据权利要求6~8中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,还具备刷,在对所述基板的上表面进行液处理时,该刷一边使清洗体与所述基板的上表面接触并使所述清洗体旋转,一边清洗所述基板,
所述刷的清洗体的周缘部具有在侧视时向外侧翘曲的形状。
10.根据权利要求6~9中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板保持旋转部具有:
底板,其用于使基板旋转;
支承构件,其设置于所述底板的上方并支承所述基板;以及
多个导销,所述多个导销设置于所述底板的上方,向从装置外部搬送来的基板被所述支承构件支承的位置引导所述基板,
其中,所述多个导销中的各个导销具有沿与所述底板的周缘交叉的方向延伸的槽部,所述槽部沿在所述液处理时从所述基板的周缘流过的处理液的方向倾斜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造