[发明专利]用于半桥二极管的控制电路

说明书

本发明涉及用于半桥二极管的控制电路。提供一种电路，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一场效应晶体管包括第一二极管以及漏极、源极、栅极和第一附加电极。第二场效应晶体管包括第二二极管以及漏极、源极、栅极和第二附加电极。第一开关选择性地连接第一场效应晶体管的栅极和漏极电极。第二开关选择性地连接第二场效应晶体管的栅极和漏极电极。控制电路控制第一开关和第二开关。第一附加电极耦合至第二场效应晶体管的栅极电极，而第二附加电极耦合至第一场效应晶体管的栅极电极。

本申请是申请日为2014年10月30日、申请号为201410598199.2、题为“用于半桥二极管的控制电路”的发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年10月31日提交的第13/60660号法国专利申请的优先权权益，在此通过引用的方式引入其法律允许的最大范围的全部内容。

技术领域

本公开总体上涉及电子电路，并且更具体地，涉及用于以半桥组装的场效应二极管的控制电路。本公开更具体地应用于以切换模式电源的形式形成转换器。

背景技术

切换模式电源使用(特别是在次级处)续流二极管，该续流二极管大多数通常被组装为具有公共电极(正极或负极)，因而位于半桥中。

在形成功率转换器时，通常在处于导通状态的二极管上的电压和截止状态的漏电流之间很难找到可接受的折衷。

发明内容

一个实施例克服了使用以半桥组装的二极管的组件的全部或部分缺点。

另一实施例提供了具有在前向压降和漏电流之间的改进折衷的半桥二极管组件。

另一实施例使用在衬底中包括扩散口袋(diffusion pocket)的场效应二极管。

一个实施例提供了一种电路，包括：第一场效应晶体管，组装为第一二极管，并且设置有漏极、源极和栅极电极以及附加电极；第二场效应晶体管，组装为第二二极管，并且设置有漏极、源极和栅极电极以及附加电极；第一开关，将第一晶体管的栅极连接至其漏极；第二开关，将第二晶体管的栅极连接至其漏极；以及用于控制第一开关和第二开关的电路。

根据一个实施例：第一晶体管的附加电极进一步直接连接至第二晶体管的栅极；以及第二晶体管的附加电极进一步直接连接至第一晶体管的栅极。

根据一个实施例，两个开关被控制为在如下阶段中同时截止，在该阶段中，二极管中的一个二极管在被反向偏置的同时，在其栅极被连接至另一个二极管的附加电极的影响下存在导通的风险。

根据一个实施例，二极管通过各自的正极互连。

根据一个实施例，二极管通过各自的负极互连。

根据一个实施例，每个附加电极均接触衬底中的扩散口袋。

根据一个实施例，每个附加电极均接触绝缘层。

一个实施例还提供一种切换模式电源型的功率转换器，所述功率转换器在变压器的次级处包括：至少一个电感元件和一个电容元件、以及诸如上文所述的电路。

根据一个实施例，第一二极管将由转换器提供的电压的参考端子连接至变压器的次级的绕组的电极，第二二极管将该参考端子连接至次级的该绕组的其他端子。

根据一个实施例，所述控制电路由触发器形成，该触发器具有反相输出以及置位和复位端子，该反相输出控制由MOS晶体管形成的所述开关，置位和复位端子从用于控制功率转换器的电路接收控制信号。

附图说明

在下文的特定实施例的非限制性描述中，将参照附图详细讨论前述或其他特征以及优点。