[发明专利]用于半桥二极管的控制电路有效
| 申请号: | 201810037075.5 | 申请日: | 2014-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN108111023B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
| 发明(设计)人: | B·里韦;G·让夏尔;F·拉努瓦 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 二极管 控制电路 | ||
1.一种电路,包括:
第一场效应二极管,包括漏极、源极和栅极电极以及第一附加电极;
第二场效应二极管,包括漏极、源极和栅极电极以及第二附加电极;
第一开关,连接在所述第一场效应二极管的栅极和所述第一场效应二极管的源极之间,其中在所述第一场效应二极管被反向偏置时断开所述开关;
第二开关,连接在所述第二场效应二极管的栅极和所述第二场效应二极管的源极之间;以及
被配置为控制所述第一开关和所述第二开关的驱动的电路,
其中所述第一开关和所述第二开关在所述第一场效应二极管和所述第二场效应二极管被反向偏置的阶段中被控制为同时导通。
2.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一场效应二极管的所述第一附加电极直接连接至所述第二场效应二极管的栅极;以及
所述第二场效应二极管的所述第二附加电极直接连接至所述第一场效应二极管的栅极。
3.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一场效应二极管和所述第二场效应二极管通过各自的正极互连。
4.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一场效应二极管和所述第二场效应二极管通过各自的负极互连。
5.根据权利要求1所述的电路,其中所述附加电极中的每一个均接触衬底中的扩散口袋。
6.根据权利要求1所述的电路,其中所述附加电极中的每一个均接触绝缘层并形成电容结构的一个极板。
7.一种电路,包括:
第一场效应二极管,包括漏极、源极和栅极电极以及第一附加电极;
第二场效应二极管,包括漏极、源极和栅极电极以及第二附加电极;
第一开关,跨所述第一场效应二极管的栅极和所述第一场效应二极管的源极而直接连接;
第二开关,跨所述第二场效应二极管的栅极和所述第二场效应二极管的源极而直接连接;以及
被配置为控制所述第一开关和所述第二开关的驱动的电路,
其中所述第一场效应二极管的所述第一附加电极直接连接至所述第二场效应二极管的栅极;
所述第二场效应二极管的所述第二附加电极直接连接至所述第一场效应二极管的栅极;以及
所述第一开关和所述第二开关在所述第一场效应二极管和所述第二场效应二极管被反向偏置的阶段中被控制为同时导通,并且所述第二场效应二极管的附加电极向所述第一场效应二极管的栅极施加信号,所述信号将引起所述第一场效应二极管变为导通。
8.一种电路,包括:
第一场效应二极管,包括漏极、源极和栅极电极以及第一附加电极;
第二场效应二极管,包括漏极、源极和栅极电极以及第二附加电极;
第一开关,跨所述第一场效应二极管的栅极和所述第一场效应二极管的源极而直接连接;
第二开关,跨所述第二场效应二极管的栅极和所述第二场效应二极管的源极而直接连接;以及
被配置为控制所述第一开关和所述第二开关的驱动的电路,
其中所述附加电极中的每一个均接触绝缘层并形成电容结构的一个极板。
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