[发明专利]用于断线修补的测试键和测试方法以及断线修补方法

权利要求书

1.一种用于断线修补的测试键，所述测试键包括：

金属层，包括两个电断开的第一测试点和第二测试点；在测试过程中，所述第一测试点和所述第二测试点通过生长的金属线电连接；

滤色器层，位于金属层上，包括彩色光阻；

附加金属层，位于金属层下，包括第三测试点；在测试过程中，所述第一测试点和第二测试点与所述第三测试点经由金属长线形成电容，以在第一测试点与第三测试点之间或者第二测试点与第三测试点之间进行短路测试和电流测试；

上绝缘层，位于金属层与滤色器层之间；以及

下绝缘层，位于金属层与附加金属层之间。

2.一种用于断线修补的测试方法，所述测试方法包括：

去除测试键的滤色器层的部分彩色光阻，其中，所述测试键为权利要求1所述的测试键；

在去除了彩色光阻的部分处生长金属线，生长的金属线用于将第一测试点和第二测试点电连接；

测量第一测试点和第二测试点之间的电阻，从而确定通过生长的金属线将第一测试点和第二测试点电连接是否成功；以及

在第一测试点与第三测试点之间或者第二测试点与第三测试点之间进行短路测试和电流测试，从而确定光阻去除是否成功。

3.根据权利要求2所述的测试方法，其中：

当测得第一测试点和第二测试点之间的电阻小于600欧姆时，确定通过生长的金属线将第一测试点和第二测试点电连接成功。

4.根据权利要求2所述的测试方法，其中：

当在短路测试中测得第一测试点与第三测试点之间短路或者第二测试点与第三测试点之间短路时，确定光阻去除能量过高导致上下绝缘层击穿，从而确定光阻去除不成功。

5.根据权利要求2所述的测试方法，其中：

当在电流测试中测得第一测试点与第三测试点之间的电流小于10^-6A或者第二测试点与第三测试点之间的电流小于10^-6A时，则确定光阻去除能量过低导致光阻残留，从而确定光阻去除不成功。

6.根据权利要求2所述的测试方法，其中：

生长的金属线在第一测试点和第二测试点的同一侧形成为括号形。

7.根据权利要求6所述的测试方法，其中：

当通过生长的金属线将第一测试点和第二测试点电连接不成功或光阻去除不成功时，利用同一测试键再次进行测试，其中，新生长的金属线为括号形，被之前生长的金属线包围或包围之前生长的金属线。

8.根据权利要求2所述的测试方法，其中：

当通过生长的金属线将第一测试点和第二测试点电连接不成功或光阻去除不成功时，利用另一测试键再次进行测试。

9.一种断线修补方法，所述断线修补方法包括：

执行权利要求2至权利要求8之一所述的测试方法；

当通过生长的金属线将第一测试点和第二测试点电连接不成功或光阻去除不成功时，调整金属长线参数或光阻去除参数，重复执行权利要求2至权利要求8之一所述的测试方法，直到通过生长的金属线将第一测试点和第二测试点电连接成功且光阻去除成功；

利用成功的光阻去除参数和金属长线参数形成金属连接线对断线修补。

10.根据权利要求9所述的断线修补方法，所述断线修补方法还包括：

对金属连接线进行阻抗测试。