[发明专利]半导体元件

说明书

本发明公开一种半导体元件，其主要包含一第一栅极线以及一第二栅极线沿着一第一方向延伸、一第三栅极线沿着一第二方向延伸并设于第一栅极线以及第二栅极线之间以及一漏极区域设于第三栅极线一侧，其中第三栅极线包含一第一突出部且该第一突出部重叠漏极区域。

技术领域

本发明涉及一种于硅覆绝缘基底上的半导体元件，尤其是涉及一种应用于低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)的晶体管结构。

背景技术

随着科技的发展，无线通讯已成为人们生活中相当重要的一环，各种不同电子装置如智能型手机、智能型穿戴装置、平板电脑中通过无线射频系统来传送或接收无线信号。在无线射频系统中，低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)与功率放大器(PowerAmplifier,PA)为必要的放大电路。为了使放大电路具有最佳的效能(如线性度)，放大电路需要施加以一适当偏压，常见的作法为将放大电路电连接于一偏压模块，利用偏压模块来提供放大电路一适当偏压。

然而于现有技术中，例如低噪声放大器中的晶体管设计在部分参数上包括高栅极阻值、高栅极对基体掺杂区电容值(gate to body capacitance)以及最低噪声指数(minnoise figure)的表现仍不尽理想。由于这些参数在低噪声放大器效能表面上具有举足轻重的影响，因此如何改良现有晶体管架构进而改善这些参数表现即为现今一重要课题。

发明内容

本发明一实施例公开一种半导体元件，其主要包含：一第一栅极线以及一第二栅极线沿着第一方向延伸；一第三栅极线以及一第四栅极线沿着第一方向延伸并设于第一栅极线以及第二栅极线之间；以及一第五栅极线以及一第六栅极线沿着一第二方向延伸，其中第五栅极线以及第六栅极线设于第一栅极线以及第二栅极线之间并交错第三栅极线以及第四栅极线。

本发明另一实施例公开一种半导体元件，其主要包含一第一栅极线以及一第二栅极线沿着一第一方向延伸、一第三栅极线沿着一第二方向延伸并设于第一栅极线以及第二栅极线之间以及一漏极区域设于第三栅极线一侧，其中第三栅极线包含一第一突出部且该第一突出部重叠漏极区域。

附图说明

图1为本发明一实施例的应用于低噪声放大器的一半导体元件的上视图；

图2为本发明一实施例的应用于低噪声放大器的一半导体元件的上视图。

主要元件符号说明

12 基底 14 第一栅极线

16 第二栅极线 18 第三栅极线

20 第四栅极线 22 第五栅极线

24 第六栅极线 26 源极区域

28 第一漏极区域 30 第二漏极区域

32 掺杂区 34 掺杂区

36 掺杂区 38 掺杂区

40 掺杂区 42 掺杂区

44 掺杂区 46 掺杂区

48 掺杂区 50 接触插塞

52 第一金属内连线 54 第二金属内连线

56 第三金属内连线