[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

第一栅极线以及第二栅极线，沿着一第一方向延伸；

第三栅极线以及第四栅极线，沿着该第一方向延伸并设于该第一栅极线以及该第二栅极线之间；

第五栅极线以及第六栅极线，沿着一第二方向延伸，其中该第五栅极线以及该第六栅极线设于该第一栅极线以及该第二栅极线之间并交错该第三栅极线以及该第四栅极线；

第一掺杂区，设于该第一栅极线以及该第三栅极线之间；

第二掺杂区，设于该第二栅极线以及该第四栅极线之间；以及

第三掺杂区，设于该第三栅极线以及该第四栅极线之间，

其中该第一掺杂区以及该第二掺杂区包含相同导电型式，该第一掺杂区以及该第三掺杂区包含不同导电型式，在上视图中，该第三掺杂区的第一边缘与该第三栅极线的边缘重合，且该第三掺杂区的第二边缘于该第四栅极线的边缘重合。

2.如权利要求1所述的半导体元件，另包含：

源极区域，设于该第五栅极线以及该第六栅极线之间；

第一漏极区域，设于该第五栅极线一侧；以及

第二漏极区域，设于该第六栅极线一侧。

3.如权利要求2所述的半导体元件，另包含至少一接触插塞设于该第三栅极线以及该第四栅极线之间的该源极区域、该第一漏极区域以及该第二漏极区域。

4.如权利要求2所述的半导体元件，另包含：

第一金属内连线，沿着该第二方向延伸于该第五栅极线以及该第六栅极线之间并电连接该源极区域；

第二金属内连线，沿着该第二方向延伸于该第五栅极线一侧并电连接该第一漏极区域；以及

第三金属内连线，沿着该第二方向延伸于该第六栅极线一侧并电连接该第二漏极区域。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一金属内连线、该第二金属内连线以及该第三金属内连线交错该第三栅极线以及该第四栅极线。