[发明专利]像素界定层、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201810031622.9 | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN108231856A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 崔颖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 分隔墙 像素界定层 第一层 显示面板 显示装置 成膜均匀性 衬底基板 像素区域 内凹陷 凹壁 侧壁 界定 分隔 开口 | ||
本发明公开了一种像素界定层、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,提高像素界定层界定的像素区域内的成膜均匀性。本发明的主要技术方案为:一种像素界定层,包括:像素分隔墙,所述像素分隔墙围成多个开口;所述像素分隔墙包括第一层,所述第一层用于设置在衬底基板上,且所述第一层的侧壁具有向所述像素分隔墙内凹陷的凹壁部分。该像素分隔墙主要用于分隔像素。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素界定层、显示面板及显示装置。
背景技术
在OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示技术中,喷墨打印彩色图案化技术通过其具有操作简单、成本低廉、工艺简单及易于实现大尺寸等优点,已在OLED制造领域中逐渐成为主流技术。
目前,通过喷墨打印技术在像素界定层界定的像素区域内成膜时,墨水在干燥成膜过程中,会发生在像素边缘的攀爬现象,导致形成的薄膜呈中间薄、边缘过厚的现象,使得像素内成膜不均。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种像素界定层、显示面板及显示装置,提高像素界定层界定的像素区域内的成膜均匀性。
为达到上述目的,本发明主要提供如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供了一种像素界定层,包括:
像素分隔墙,所述像素分隔墙围成多个开口;
所述像素分隔墙包括第一层,所述第一层用于设置在衬底基板上,且所述第一层的侧壁具有向所述像素分隔墙内凹陷的凹壁部分。
具体地,所述开口在所述衬底基板上的正投影为圆形。
具体地,所述第一层由亲水材料制成。
具体地,沿远离所述衬底基板的方向上,所述凹壁部分从所述第一层的底面延伸至所述第一层相对于所述底面的顶面。
具体地,所述凹壁部分在垂直于所述衬底基板所在平面的截面上所截得的形状为圆弧形。
具体地,所述凹壁部分包括与所述顶面相接的第一边缘以及与所述底面相接的第二边缘,所述第一边缘在所述衬底基板上的正投影区域小于或等于所述第二边缘在所述衬底基板上的正投影区域。
具体地,所述像素分隔墙还包括第二层,所述第二层位于所述第一层远离于所述衬底基板的一侧,所述第二层由疏水材料制成。
具体地,所述第一层为无机亲水材料;所述第二层为有机疏水材料。
具体地,所述亲水材料为二氧化硅、氮化硅中的任意一种材料或者两种材料组合。
具体地,所述疏水材料为聚酰亚胺。
另一方面,本发明实施例还提供一种显示面板,包括衬底基板,还包括:上述的像素界定层;所述像素界定层的第一层设置在所述衬底基板上。
具体地,沿远离所述衬底基板的方向上,所述衬底基板上依次设置有阳极层、发光层和阴极层,所述发光层位于所述第一层围成的空间内,所述阴极层位于所述发光层上,所述阴极层与所述发光层接触的部分在所述衬底基板上的正投影小于所述发光层在所述衬底基板上的正投影。
另一方面,本发明实施例还提供一种显示装置,包括:上述的显示面板。
本发明实施例提出的一种像素界定层、显示面板及显示装置,通过其像素分隔墙围成多个开口,以界定出像素区域,像素分隔墙的第一层的侧壁设置有向像素分隔墙内凹陷的凹壁部分,当通过喷墨打印技术在像素界定层界定的像素区域内成膜时,墨水在干燥成膜过程中,墨水沿着凹壁部分攀爬,凹壁部分对墨水的攀爬起到阻挡作用,相比现有技术中采用平直的侧壁,本发明实施例的像素界定层采用具有凹壁部分的侧壁,增大墨水攀爬的阻力,有效降低薄膜呈中间薄、边缘过厚的现象,提高成膜均匀性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810031622.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的