[发明专利]像素界定层、显示面板及显示装置在审
| 申请号: | 201810031622.9 | 申请日: | 2018-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN108231856A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
| 发明(设计)人: | 崔颖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 分隔墙 像素界定层 第一层 显示面板 显示装置 成膜均匀性 衬底基板 像素区域 内凹陷 凹壁 侧壁 界定 分隔 开口 | ||
1.一种像素界定层,其特征在于,包括:
像素分隔墙,所述像素分隔墙围成多个开口;
所述像素分隔墙包括第一层,所述第一层用于设置在衬底基板上,且所述第一层的侧壁具有向所述像素分隔墙内凹陷的凹壁部分。
2.根据权利要求1所述的像素界定层,其特征在于,
所述开口在所述衬底基板上的正投影为圆形。
3.根据权利要求1所述的像素界定层,其特征在于,
所述第一层由亲水材料制成。
4.根据权利要求1所述的像素界定层,其特征在于,
沿远离所述衬底基板的方向上,所述凹壁部分从所述第一层的底面延伸至所述第一层相对于所述底面的顶面。
5.根据权利要求1所述的像素界定层,其特征在于,
所述凹壁部分在垂直于所述衬底基板所在平面的截面上所截得的形状为圆弧形。
6.根据权利要求4所述的像素界定层,其特征在于,
所述凹壁部分包括与所述顶面相接的第一边缘以及与所述底面相接的第二边缘,所述第一边缘在所述衬底基板上的正投影区域小于或等于所述第二边缘在所述衬底基板上的正投影区域。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的像素界定层,其特征在于,
所述像素分隔墙还包括第二层,所述第二层位于所述第一层远离于所述基板的一侧,所述第二层由疏水材料制成。
8.根据权利要求7所述的像素界定层,其特征在于,
所述第一层为无机亲水材料;
所述第二层为有机疏水材料。
9.根据权利要求3所述的像素界定层,其特征在于,
所述亲水材料为二氧化硅、氮化硅中的任意一种材料或者两种材料组合。
10.根据权利要求7所述的像素界定层,其特征在于,
所述疏水材料为聚酰亚胺。
11.一种显示面板,包括衬底基板,其特征在于,还包括:如权利要求1至10中任一项所述的像素界定层;
所述像素界定层的第一层设置在所述衬底基板上。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,
沿远离所述衬底基板的方向上,所述衬底基板上依次设置有阳极层、发光层和阴极层,所述发光层位于所述第一层围成的空间内,所述阴极层位于所述发光层上,所述阴极层与所述发光层接触的部分在所述衬底基板上的正投影小于所述发光层在所述衬底基板上的正投影。
13.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求11或12所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





