[发明专利]一种降低快闪存储器比特错误率的方法在审

专利信息
申请号: 201810030688.6 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN108108265A 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 许豪江;李庭育;魏智汎;黄中柱 申请(专利权)人: 江苏华存电子科技有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 闪存芯片 闪存 闪存控制装置 指令控制装置 比特错误率 快闪存储器 调整电压 读取电压 读取指令 相邻页面 总线连接 耦合效应 比特率 抹除 写入
【权利要求书】:

1.一种降低快闪存储器比特错误率的方法,其特征在于:包括闪存控制装置(1)和多个闪存芯片,所述闪存控制装置(1)通过总线连接多个闪存芯片,所述闪存控制装置(1)内设有闪存指令控制装置(2)和调整电压装置(3),所述闪存指令控制装置(2)对闪存芯片写入、抹除和读取指令,所述调整电压装置(3)调整闪存芯片电压。

2.根据权利要求1所述的一种降低快闪存储器比特错误率的方法,其特征在于:多个闪存芯片包括第一闪存芯片(4)、第二闪存芯片(5)、第三闪存芯片(6)和第N闪存芯片,N为大于3的整数,所述闪存芯片内有1024个块,每个块有256个页,每个页有32个扇形组合而成。

3.根据权利要求1所述的一种降低快闪存储器比特错误率的方法,其特征在于:包括以下步骤:

A、读取命令请求闪存;

B、利用错误检查读取数据;如果阅读通过数据错误校验,则跳转步骤F;否则,找寻最佳读取闪存电压;

C、之后再次读取闪存电压,使用搜索后的读取电压代替默认读取电压;

D、如果通过数据错误检查,则跳转步骤F,否则跳转步骤E;

E、耦合效应的消除;

F、输出读取数据。

4.根据权利要求3所述的一种降低快闪存储器比特错误率的方法,其特征在于:所述步骤E的耦合效应的消除包括以下步骤:

a、读取相邻页,如果相邻页是干扰页,则将标志设置为“1”或设置为触发;否则,将标志设置为“0”或设置不触发;

b、使用两个不同的读取电压至少读取两个相邻页面的次数;

c、根据所述页面读取数据和标志,读取页面;

d、若读取成功,则结束流程;若未读取成功,则调整电压V值后跳转步骤b。

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