[发明专利]少层MoS2

说明书

本发明公开了一种少层MoS₂修饰Ag‑TiO₂纳米复合薄膜的制备方法，方法的步骤中含有：(a)制备TiO₂纳米薄膜；(b)制备Ag‑TiO₂纳米复合薄膜；(c)制备少层MoS₂修饰Ag‑TiO₂纳米复合薄膜：对得到的Ag‑TiO₂纳米复合薄膜进行紫外光照处理，处理结束后，然后至少进行二次少层MoS₂修饰步骤，得到少层MoS₂修饰Ag‑TiO₂纳米复合薄膜；其中，每次少层MoS₂修饰步骤中包括：在Ag‑TiO₂纳米复合薄膜表面滴适量少层MoS₂分散液，待少层MoS₂分散液润湿Ag‑TiO₂纳米复合薄膜表面后，将少层MoS₂分散液均匀涂覆于Ag‑TiO₂纳米复合薄膜表面，然后烘干处理。该方法制备过程简单，原材料成本相对较低，无毒，并且利用少层MoS₂和Ag纳米颗粒的协同作用使得该薄膜具有较高的可见光催化降解效率，而且制备得到的薄膜易于回收和重复利用。

技术领域

本发明涉及一种少层MoS₂修饰Ag-TiO₂纳米复合薄膜的制备方法，属于纳米复合材料技术领域。

背景技术

目前，世界经济飞速发展和工业化水平不断提升，对能源的消耗量日益增加，现今我们使用的能源主要以化石能源为主，化石能源的大量使用使得人们赖以生存的自然环境遭到严重的破坏，环境问题已受到人们的高度重视，能源短缺和环境污染问题已经成为制约我国未来经济发展和社会稳定的关键问题之一。因此，如何有效解决能源短缺和环境污染问题迫在眉睫。自上世纪70年代日本科学家利用二氧化钛和紫外光实现光催化分解水产生氢气和氧气以来，光催化技术进入了一个飞速发展的阶段，光催化技术在染料污水处理方面的应用引起广泛关注。

二氧化钛作为一种重要的宽禁带半导体材料，具有制备成本低廉、催化活性高、化学性能稳定、无毒无害、原料来源丰富等优点，在光催化、污水处理和空气净化等方面具有重要的应用前景。然而，由于二氧化钛光催化材料带隙较宽(禁带宽度约为3.2eV)，单纯的二氧化钛材料只能吸收太阳光中的紫外光，且其光生电子空穴对的复合率较高，光量子效率较低，对太阳能的利用率较低，以上问题限制二氧化钛广泛应用于生产和生活。因此，调控二氧化钛禁带宽度使其吸收光谱向可见光区延伸和提高其光量子效率成为该领域的研究热点。人们通过掺杂、与其它氧化物半导体进行耦合、表面负载贵金属和量子点修饰等将TiO₂的吸收光谱延伸到可见光区，以提高其对太阳能的利用；同时也有助于增强光生电子-空穴对的有效分离，提高其光量子效率。然而，对于在负载有贵金属的TiO₂纳米薄膜表面再进行类石墨烯的二维层状化合物修饰，通过类石墨烯的二维层状化合物与贵金属的协同作用进一步提升其光催化性能的研究工作相对较少。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种少层MoS₂修饰 Ag-TiO₂纳米复合薄膜的制备方法，该方法制备过程简单，原材料成本相对较低，无毒，并且利用少层MoS₂和Ag纳米颗粒的协同作用使得该薄膜具有较高的可见光催化降解效率，而且制备得到的薄膜易于回收和重复利用。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种少层MoS₂修饰Ag-TiO₂纳米复合薄膜的制备方法，方法的步骤中含有：

(a)制备TiO₂纳米薄膜；

(b)制备Ag-TiO₂纳米复合薄膜：在TiO₂纳米薄膜表面负载Ag纳米颗粒，然后烘干得到Ag-TiO₂纳米复合薄膜；