[发明专利]少层MoS2 有效
申请号: | 201810029005.5 | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN108579768B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 吕建国 | 申请(专利权)人: | 合肥师范学院 |
主分类号: | B01J27/051 | 分类号: | B01J27/051;B01J35/02;C02F1/30;C02F101/36;C02F101/38 |
代理公司: | 常州兴瑞专利代理事务所(普通合伙) 32308 | 代理人: | 肖兴坤 |
地址: | 230601 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mos base sub | ||
1.一种少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜的制备方法,其特征在于方法的步骤中含有:
(a)制备TiO2纳米薄膜;
(b)制备Ag-TiO2纳米复合薄膜:在TiO2纳米薄膜表面负载Ag纳米颗粒,然后烘干得到Ag-TiO2纳米复合薄膜;
(c)制备少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜:对得到的Ag-TiO2纳米复合薄膜进行紫外光照处理,处理结束后,然后至少进行二次少层MoS2修饰步骤,得到少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜;其中,每次少层MoS2修饰步骤中包括:在Ag-TiO2纳米复合薄膜表面滴适量少层MoS2分散液,待少层MoS2分散液润湿Ag-TiO2纳米复合薄膜表面后,将少层MoS2分散液均匀涂覆于Ag-TiO2纳米复合薄膜表面,然后烘干处理。
2.根据权利要求1所述的少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(a)具体为:
(a1)以FTO导电玻璃作为基片,对FTO导电玻璃进行清洗,清洗干净后,将FTO导电玻璃烘干;
(a2)分别量取适量钛酸丁酯和适量盐酸并混合,再加入适量去离子水得到混合溶液,混合溶液经过搅拌后,转移至高压釜中;然后,将清洗干净的FTO导电玻璃放入高压釜中,确保膜面朝下,然后将高压釜送入温度环境的烘箱中进行反应,反应结束后自然冷却至室温,打开高压釜取出样品,将样品清洗并烘干后得到TiO2纳米薄膜。
3.根据权利要求2所述的少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜的制备方法,其特征在于:在步骤(a1)中,对FTO导电玻璃的清洗包括在无水乙醇中超声清洗和/或在去离子水中超声清洗和/或用去离子水进行至少一次冲洗。
4.根据权利要求2所述的少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜的制备方法,其特征在于:FTO导电玻璃的尺寸为2.5×2.5cm2;在步骤(a2)中,钛酸丁酯为0.68毫升,盐酸为20毫升,去离子水为20毫升;在步骤(c)中,少层MoS2分散液为0.5毫升。
5.根据权利要求2所述的少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜的制备方法,其特征在于:在步骤(a2)中,反应过程中的烘箱的温度条件为升温速度为10度/分钟,反应温度为150℃,保温时间为10小时。
6.根据权利要求1所述的少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(b)具体为:配置硝酸银溶液,并倒入玻璃培养皿中,将TiO2纳米薄膜置于硝酸银溶液底部,膜面向上,将培养皿置于紫外灯下,通过紫外光照还原Ag+在TiO2纳米薄膜表面负载Ag纳米颗粒,取出样品,用去离子水清洗数次,最后将样品烘干得到Ag-TiO2纳米复合薄膜。
7.根据权利要求6所述的少层MoS2修饰Ag-TiO2纳米复合薄膜的制备方法,其特征在于:通过紫外光照还原Ag+在TiO2纳米薄膜表面负载Ag纳米颗粒处理的紫外灯的照射条件为:主波长为254nm,功率为36瓦,光照时间为1小时。
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