[发明专利]少层MoS2

权利要求书

1.一种少层MoS₂修饰Ag-TiO₂纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于方法的步骤中含有：

(a)制备TiO₂纳米薄膜；

(b)制备Ag-TiO₂纳米复合薄膜：在TiO₂纳米薄膜表面负载Ag纳米颗粒，然后烘干得到Ag-TiO₂纳米复合薄膜；

(c)制备少层MoS₂修饰Ag-TiO₂纳米复合薄膜：对得到的Ag-TiO₂纳米复合薄膜进行紫外光照处理，处理结束后，然后至少进行二次少层MoS₂修饰步骤，得到少层MoS₂修饰Ag-TiO₂纳米复合薄膜；其中，每次少层MoS₂修饰步骤中包括：在Ag-TiO₂纳米复合薄膜表面滴适量少层MoS₂分散液，待少层MoS₂分散液润湿Ag-TiO₂纳米复合薄膜表面后，将少层MoS₂分散液均匀涂覆于Ag-TiO₂纳米复合薄膜表面，然后烘干处理。

2.根据权利要求1所述的少层MoS₂修饰Ag-TiO₂纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(a)具体为：

(a1)以FTO导电玻璃作为基片，对FTO导电玻璃进行清洗，清洗干净后，将FTO导电玻璃烘干；

(a2)分别量取适量钛酸丁酯和适量盐酸并混合，再加入适量去离子水得到混合溶液，混合溶液经过搅拌后，转移至高压釜中；然后，将清洗干净的FTO导电玻璃放入高压釜中，确保膜面朝下，然后将高压釜送入温度环境的烘箱中进行反应，反应结束后自然冷却至室温，打开高压釜取出样品，将样品清洗并烘干后得到TiO₂纳米薄膜。

3.根据权利要求2所述的少层MoS₂修饰Ag-TiO₂纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤(a1)中，对FTO导电玻璃的清洗包括在无水乙醇中超声清洗和/或在去离子水中超声清洗和/或用去离子水进行至少一次冲洗。

4.根据权利要求2所述的少层MoS₂修饰Ag-TiO₂纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：FTO导电玻璃的尺寸为2.5×2.5cm²；在步骤(a2)中，钛酸丁酯为0.68毫升，盐酸为20毫升，去离子水为20毫升；在步骤(c)中，少层MoS₂分散液为0.5毫升。

5.根据权利要求2所述的少层MoS₂修饰Ag-TiO₂纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤(a2)中，反应过程中的烘箱的温度条件为升温速度为10度/分钟，反应温度为150℃，保温时间为10小时。

6.根据权利要求1所述的少层MoS₂修饰Ag-TiO₂纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(b)具体为：配置硝酸银溶液，并倒入玻璃培养皿中，将TiO₂纳米薄膜置于硝酸银溶液底部，膜面向上，将培养皿置于紫外灯下，通过紫外光照还原Ag⁺在TiO₂纳米薄膜表面负载Ag纳米颗粒，取出样品，用去离子水清洗数次，最后将样品烘干得到Ag-TiO₂纳米复合薄膜。

7.根据权利要求6所述的少层MoS₂修饰Ag-TiO₂纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：通过紫外光照还原Ag⁺在TiO₂纳米薄膜表面负载Ag纳米颗粒处理的紫外灯的照射条件为：主波长为254nm，功率为36瓦，光照时间为1小时。