[发明专利]具有串联槽栅结构的多叠层功率器件在审
| 申请号： | 201810010047.4 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108231902A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李琦;张昭阳;李海鸥;陈永和;张法碧;傅涛;袁雷雷 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 石燕妮 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 比导通电阻 功率器件 串联槽 多叠层 栅结构 漂移区 槽栅 级联 多晶硅氧化层 并联结构 槽型结构 导电沟道 导通电流 电场分布 电流传导 电子积累 多个器件 击穿电压 埋氧层 埋层 耐压 纵栅 延伸 | ||
1.具有串联槽栅结构的多叠层功率器件，包括由上至下依次设置的漂移区(3)、埋层(2)、衬底(1)；所述漂移区(3)上设置有N+漏区(4)、漏电极(5)、栅电极(6)、源电极(7)、N+接触区(8)以及P+源区(9)；
其特征在于：所述漂移区(3)一侧的外表面上设置有纵栅；所述纵栅为多晶硅(11)和纵氧化层(12)形成的纵向的槽栅；所述槽栅延伸到埋层(2)；所述漂移区(3)内设置有p阱(10)；所述槽栅与p阱(10)形成了纵向导电沟道；
所述漂移区(3)内设置有与纵栅相连接的横向的P型的埋层，所述P型的埋层至少具有两个；且P型的埋层与纵栅形成并联器件结构。
2.根据权利要求1所述的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,其特征在于：所述P型的埋层具有三个具体为：第一P型的埋层(13)、第二P型的埋层(15)以及第三P型的埋层(17)；所述第一P型的埋层(13)、第二P型的埋层(15)以及第三P型的埋层(17)与纵栅形成并联器件结构。
3.根据权利要求2所述的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,其特征在于：所述漂移区(3)的上方设置有埋层二(20)，所述埋层二(20)上方设置有表面结构(19)。
4.根据权利要求3所述的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,其特征在于：相邻两个P型的埋层之间的间距相同。
5.根据权利要求4所述的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,其特征在于：与纵栅相连的P型的埋层的横向长度相等。
6.根据权利要求4所述的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,其特征在于：与纵栅相连的P型的埋层的结构均匀掺杂浓度。
7.根据权利要求4所述的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,其特征在于：与纵栅相连的各个P型的埋层的浓度相等。
8.根据权利要求4所述的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,其特征在于：所述第一P型的埋层(13)与第二P型的埋层(15)之间的漂移区(3)为第一漂移区(14)；所述第二P型的埋层(15)与第三P型的埋层(17)之间的漂移区(3)为第二漂移区(16)；所述第三P型的埋层(17)与埋层(2)之间的漂移区(3)为第三漂移区(18)；所述第一漂移区(14)、第二漂移区(16)、第三漂移区(18)的浓度相等。
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