[发明专利]一种植入式可降解药物缓释电子贴片的制备方法

权利要求书

1.一种植入式可降解的药物缓释电子贴片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

1)制备载药微球：

采用溶剂挥发法制备载药微球，将药物与载体材料包覆层的材料溶于溶剂中，并进行搅拌，形成载体材料包覆层包裹药物的载药微球，载药微球形成在溶液中，形成载药微球溶液；

2)将载药微球包埋在第一可降解柔性基底内：

提供可降解材料的溶液，并与载药微球溶液混合，混合后的溶液置于有固定形状的模具中，进行固化，从而形成第一可降解柔性基底，并且载药微球包埋在第一可降解柔性基底内；

3)提供转印基片：

转印基片从下至上依次包括硬质基底、牺牲层和转印载体；

4)在转印基片上依次形成能量接收线圈、绝缘层和发热电阻：

a)在转印基片上旋涂第一光刻胶，光刻形成与能量接收线圈互补的光刻胶图案，镀粘附层，在粘附层上镀能量接收线圈的金属，去除第一光刻胶，从而将不需要的能量接收线圈的金属去掉，形成能量接收线圈；

b)在能量接收线圈上旋涂第二光刻胶，光刻形成与绝缘层互补的光刻胶图案，镀粘附层，在粘附层上镀绝缘层的材料，去除第二光刻胶，从而将不需要的绝缘层的材料去掉，形成绝缘层；

c)在绝缘层上旋涂第三光刻胶，光刻形成与发热电阻互补的光刻胶图案，镀粘附层，在粘附层上镀发热电阻的金属，去除第三光刻胶，从而将不需要的发热电阻的金属去掉，形成发热电阻；

5)转印：

将制备在转印基片上的能量接收线圈、绝缘层和发热电阻转印至第一可降解柔性基底；

6)去除转印载体：

采用反应离子刻蚀RIE去除转印载体，从而在第一可降解柔性基底上依次形成发热电阻、绝缘层和能量接收线圈；

7)提供浇注混合溶液：

在可降解材料的溶液中混合入载药微球溶液，形成浇注混合溶液；

8)形成第二可降解柔性基底：

将形成在第一可降解柔性基底上的发热电阻、绝缘层和能量接收线圈放入模具中，向模具内浇注混合溶液，固化后形成包埋了载药微球的第二可降解柔性基底，同时将发热电阻、绝缘层和能量接收线圈封装在内。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，载体材料包覆层的材料采用聚合物酸酐；溶剂采用二氯甲烷、丙酮、三氯甲烷、氯乙烯和乙酸乙酯中的一种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤2)中，第一可降解柔性基底采用的可降解材料为聚乳酸-三甲基碳酸酯共聚物、聚乳酸和聚乳酸-羟基乙酸共聚物中的一种。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤3)中，硬质基底采用硅或玻璃；牺牲层采用聚甲基丙烯酸甲酯；转印载体采用聚酰亚胺、聚乙烯亚胺和丙烯酸树脂中的一种。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤4)中，采用丙酮将第一、第二和第三光刻胶以及对应部分的能量接收线圈的金属、绝缘层的材料、发热电阻的金属去除，从而分别形成能量接收线圈、绝缘层和发热电阻。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤4)中，能量接收线圈采用锌、镁和钼中的一种，厚度在1μm～3μm之间。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤4)中，绝缘层采用氧化镁或二氧化硅，厚度在500nm～1.5μm之间。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤4)中，发热电阻采用锌、镁和钼中的一种，厚度在500nm～2μm之间。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤7)中，第二可降解柔性基底采用的可降解材料为聚乳酸-三甲基碳酸酯共聚物、聚乳酸和聚乳酸-羟基乙酸共聚物中的一种。