[发明专利]OLED薄膜封装结构及显示模组有效
| 申请号: | 201780096981.6 | 申请日: | 2017-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN111357114B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
| 发明(设计)人: | 陈秉宏;林盈妃;吴思宗 | 申请(专利权)人: | 深圳市柔宇科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 薄膜 封装 结构 显示 模组 | ||
一种显示模组(100)及OLED薄膜封装结构(10),OLED薄膜封装结构(10),包括依次层叠设置的阵列膜层(1)、OLED膜层(2)、第一无机膜层(3)、有机膜层(4)、以及第二无机膜层(5)。阵列膜层(1)在位于有机膜层(4)外圈区域、且与第一无机膜层(3)相对的一侧上沿有机膜层(4)外圈设有内凹的隔离槽(11),喷墨后的油墨需要进行平坦化,而平坦化的过程,若油墨在向外溢出时,会流到隔离槽(11)内,防止喷墨形成有机膜层(4)时,喷出的油墨向外溢出。
技术领域
本发明涉及显示装置,更具体地说,涉及一种OLED薄膜封装结构及显示模组。
背景技术
OLED薄膜(OLED,即Organic Light-Emitting Diode,称为有机发光二极管,又称为有机电激光显示、有机发光半导体)封装于传统工艺过程中,多由二层无机物中间夹一层有机物(Ink:油墨),而当中的Ink主要在于吸收后续弯曲过程中的应力。
Ink的涂布工艺多采用IJP(IJP:喷墨打印技术)的喷墨方式加工,但是喷墨后的Ink需要进行平坦化,而平坦化的过程,Ink会发生向面板外围溢流的情况。
现有防止Ink溢流是在面板上设置Bank(Bank:阻挡结构),以防止Ink溢流至其他区域。
因为在面板周边增设了Bank(约2um高度),在后续TP(Touch Panel,触摸板)贴合时,将会影响OCR/OCA光学胶(OCR:Optical Clear Resin,光学透明树脂;OCA:OpticallyClear Adhesive,固态透明光学胶)的流动。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,提供一种可避免有机膜层形成时在平坦化过程中向外溢出的显示模组及OLED薄膜封装结构。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种OLED薄膜封装结构,其特征在于,包括依次层叠设置的阵列膜层、OLED膜层、第一无机膜层、有机膜层、以及第二无机膜层;
所述阵列膜层在位于所述有机膜层外圈区域、且与所述第一无机膜层相对的一侧上沿所述有机膜层外圈设有内凹的隔离槽,以防止形成所述有机膜层的油墨向所述隔离槽外圈溢出。
优选地,所述OLED膜层到所述阵列膜层所在平面的投影范围在所述第一无机膜层、阵列膜层到所述阵列膜层所在平面的投影范围内,所述第一无机膜层、所述阵列膜层位于所述OLED膜层外圈的区域将所述OLED膜层包覆。
优选地,所述有机膜层到所述阵列膜层所在平面的投影范围在所述第一无机膜层、第二无机膜层到所述阵列膜层所在平面的投影范围内,所述第一无机膜层、第二无机膜层位于所述有机膜层外圈的区域将所述有机膜层包覆。
优选地,所述隔离槽包括沿所述有机膜层周圈设置的至少一圈沟槽。
优选地,所述隔离槽包括沿所述有机膜层周圈设置的网格状沟槽。
优选地,所述有机膜层到所述阵列膜层所在平面的投影范围在所述隔离槽到所述阵列膜层所在平面的投影范围内。
优选地,所述第二无机膜层与所述隔离槽对应的区域到所述第二无机膜层与所述有机膜层对应的区域之间平滑过渡。
优选地,所述第二无机膜层与所述隔离槽对应的区域到所述第二无机膜层与所述有机膜层对应的区域之间弧面或斜面过渡。
优选地,所述隔离槽采用蚀刻形成。
优选地,所述沟槽的断面形状为半圆形、V形、U形、锯齿状中的一种或多种的组合。
优选地,所述第一无机膜层、第二无机膜层采用气相沉积的方式形成。
优选地,所述第一无机膜层、第二无机膜层的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





