[发明专利]OLED薄膜封装结构及显示模组有效
| 申请号: | 201780096981.6 | 申请日: | 2017-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN111357114B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
| 发明(设计)人: | 陈秉宏;林盈妃;吴思宗 | 申请(专利权)人: | 深圳市柔宇科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 薄膜 封装 结构 显示 模组 | ||
1.一种OLED薄膜封装结构,其特征在于,包括依次层叠设置的阵列膜层(1)、OLED膜层(2)、第一无机膜层(3)、有机膜层(4)、以及第二无机膜层(5);
所述阵列膜层(1)在位于所述有机膜层(4)外圈区域、且与所述第一无机膜层(3)相对的一侧上沿所述有机膜层(4)外圈设有内凹的隔离槽(11),以防止形成所述有机膜层(4)的油墨向所述隔离槽(11)外圈溢出,第一无机膜层(3)与隔离槽(11)内外露的阵列膜层(1)的有机光阻连接。
2.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述OLED膜层(2)到所述阵列膜层(1)所在平面的投影范围在所述第一无机膜层(3)、阵列膜层(1)到所述阵列膜层(1)所在平面的投影范围内,所述第一无机膜层(3)、所述阵列膜层(1)位于所述OLED膜层(2)外圈的区域将所述OLED膜层(2)包覆。
3.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述有机膜层(4)到所述阵列膜层(1)所在平面的投影范围在所述第一无机膜层(3)、第二无机膜层(5)到所述阵列膜层(1)所在平面的投影范围内,所述第一无机膜层(3)、第二无机膜层(5)位于所述有机膜层(4)外圈的区域将所述有机膜层(4)包覆。
4.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述隔离槽(11)包括沿所述有机膜层(4)周圈设置的至少一圈沟槽。
5.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述隔离槽(11)包括沿所述有机膜层(4)周圈设置的网格状沟槽。
6.根据权利要求3至5任一项所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述有机膜层(4)到所述阵列膜层(1)所在平面的投影范围在所述隔离槽(11)到所述阵列膜层(1)所在平面的投影范围内。
7.根据权利要求1至5任一项所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述第二无机膜层(5)与所述隔离槽(11)对应的区域到所述第二无机膜层(5)与所述有机膜层(4)对应的区域之间平滑过渡。
8.根据权利要求7所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述第二无机膜层(5)与所述隔离槽(11)对应的区域到所述第二无机膜层(5)与所述有机膜层(4)对应的区域之间弧面或斜面过渡。
9.根据权利要求1至5任一项所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述隔离槽(11)采用蚀刻形成。
10.根据权利要求4至5任一项所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述沟槽的断面形状为半圆形、V形、U形、锯齿状中的一种或多种的组合。
11.根据权利要求1至5任一项所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述第一无机膜层(3)、第二无机膜层(5)采用气相沉积的方式形成。
12.根据权利要求11所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述第一无机膜层(3)、第二无机膜层(5)的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种的组合。
13.根据权利要求1至5任一项所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述阵列膜层(1)包括有机光阻。
14.根据权利要求1至5任一项所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述阵列膜层(1)与所述OLED相背的一侧贴合在柔性基板(6)上。
15.根据权利要求1至5任一项所述的OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述第二无机膜层(5)与所述有机膜层(4)相背的一侧设有光学胶(7)。
16.一种显示模组,其特征在于,包括权利要求1至15任一项所述的OLED薄膜封装结构(10)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





