[发明专利]半导体产品和制造工艺

权利要求书

1.一种制造半导体产品的工艺，所述工艺包括：

提供半导体衬底，其包含横向第一区域和横向第二区域；

在所述衬底的所述第一区域上或其中制造栅极结构；

执行第一沉积工艺，其在所述栅极结构上以及所述衬底的所述第一区域和所述第二区域上形成第一介电层；

执行第二沉积工艺，其在所述第一介电层上形成扩散阻挡层；

执行第三沉积工艺，其在所述扩散阻挡层上形成钨层；

执行第四沉积工艺，其在所述钨层上形成铝层；

执行第五沉积工艺，其在所述铝层上形成硬掩模层；

在所述硬掩模层的一部分上形成图案化抗蚀剂掩模层，所述图案化抗蚀剂掩模层覆盖所述第一区域上方的所述硬掩模层且暴露出所述第二区域上方的所述硬掩模层；

使用所述图案化抗蚀剂掩模层干蚀刻所述第二区域上方的所述硬掩模层和所述铝层，以暴露出所述第二区域上方的所述钨层；

去除所述抗蚀剂掩模层以暴露出所述第一区域上方的所述硬掩模层；且

使用所述硬掩模层干蚀刻所述钨层和所述扩散阻挡层，以暴露出所述第二区域上方的所述第一介电层。

2.根据权利要求1所述的工艺，进一步包括执行第五沉积工艺，其在所述第一区域上方的剩余硬掩模层上及所述第二区域上方的所述暴露出的第一介电层上形成第二介电层。

3.根据权利要求1的所述的工艺，其中干蚀刻所述硬掩模层和所述铝层包括：

执行第一干蚀刻工艺，其去除所述硬掩模层的暴露出的部分且暴露出所述第二区域上方的所述铝层；且

执行第二干蚀刻工艺，其去除所述铝层的暴露出的部分且暴露出所述第二区域上方的所述钨层。

4.根据权利要求3所述的工艺，其中干蚀刻所述钨层包括执行第三干蚀刻工艺，其去除所述钨层和所述扩散阻挡层的暴露出的部分且暴露出所述第二区域上方的所述第一介电层。

5.根据权利要求4所述的工艺，其中所述第三干蚀刻工艺是等离子体蚀刻工艺。

6.根据权利要求3所述的工艺，其中所述第一干蚀刻工艺和所述第二干蚀刻工艺是等离子体蚀刻工艺。

7.根据权利要求1所述的工艺，其中使用至少一种等离子体蚀刻工艺来蚀刻所述硬掩模层和所述铝层。

8.根据权利要求1所述的工艺，其中干蚀刻所述钨层包括执行等离子体蚀刻工艺，其去除所述钨层和所述扩散阻挡层的所述暴露出的部分且暴露出所述第二区域上方的所述第一介电层。

9.根据权利要求1所述的工艺，其中所述栅极结构制造于所述衬底的所述第一区域上。

10.根据权利要求1所述的工艺，其中所述栅极结构制造于所述衬底的所述第一区域中。

11.根据权利要求1所述的工艺，包括在执行所述第四沉积工艺以在所述钨层上形成所述铝层之前避免去除所述钨层中的任一者。

12.一种形成包含图案化铝层和下面的图案化钨层的图案化堆叠的工艺，其包括：

执行化学气相沉积工艺，其形成钨层；

执行沉积工艺，其在所述钨层上形成铝层；

执行沉积工艺，其在所述铝层上形成硬掩模层；

形成图案化抗蚀剂掩模层，其覆盖所述硬掩模层的第一部分且暴露出所述硬掩模层的第二部分；

执行第一干蚀刻工艺，其去除所述硬掩模层的所述暴露出的第二部分且暴露出所述铝层的下面部分；

执行第二干蚀刻工艺，其去除所述铝层的所述暴露出的部分且暴露出所述第二区域上方的所述钨层的下面部分；

去除所述抗蚀剂掩模层以暴露出所述硬掩模层；且

执行第三干蚀刻工艺，其去除所述钨层的所述暴露出的部分。

13.根据权利要求12所述的工艺，其中所述第一干蚀刻工艺和所述第二干蚀刻工艺是等离子体蚀刻工艺。