[发明专利]半导体光集成元件

说明书

本发明涉及的半导体光集成元件具有：导电性基板；激光器，其设置于导电性基板；半绝缘性半导体层，其设置于导电性基板之上；光电二极管，其设置于半绝缘性半导体层之上；以及波导，其设置于导电性基板之上，将激光器的输出光引导至光电二极管，光电二极管的阳极与光电二极管的阴极是从光电二极管的上表面侧引出的，波导与光电二极管通过半绝缘性半导体层隔离。

技术领域

本发明涉及半导体光集成元件。

背景技术

在专利文献1中公开了沿着光波导设置有半导体激光器部和调制器部的半导体激光器。在光波导的一部分设置有光监视部。光波导、半导体激光器、调制器部以及光监视部设置于半导体基板。另外，由于调制器部、光监视部以及半导体激光器部都是针对同一光波导构成的，所以阴极是共通的。阴极电极设置于半导体基板的背面。作为共通端子的阴极电极接地。

专利文献1：日本特开平11-186661号公报

发明内容

在使用半导体激光器作为光通信系统的光源的情况下，通常需要对半导体激光器的光输出进行监视的光电二极管。在将半导体激光器安装于模块等的情况下，有时在半导体激光器的后方配置独立芯片的光电二极管。但是，由于使用独立芯片的光电二极管，有可能产生制造成本的增加以及由组装导致的工序数的增加。另外，由于配置光电二极管的空间，模块容量有可能变大。

因此，如专利文献1所示，报导了将光电二极管与半导体激光器集成于同一基板的例子。在专利文献1中，使用n型InP作为半导体基板。此时，作为监视部的光电二极管的上表面侧的电极的极性是阳极。在阴极接地的情况下，在光电二极管的上表面侧的电极施加的电压为负。这里，作为模块的结构，有时希望在光电二极管的上表面侧的电极连接正极性的电源。在这样的情况下，专利文献1的结构有可能产生不良状况。

与此相对，想到在半绝缘性InP基板之上形成光电二极管，在光电二极管的上表面侧形成光电二极管的阳极和阴极的构造。在该情况下，想到的是，在半绝缘性InP基板之上集成的激光器以及调制器也在上表面侧设置两个极性的电极。因此，存在与使用导电性基板的情况相比电极端子增加的课题。

另外，就将光电二极管和激光器进行了单片集成的半导体装置而言，有时对光电二极管和激光器施加反向偏置。为了抑制由于此时产生的无效电流而导致的特性的降低，有时需要将光电二极管和激光器电隔离。

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于得到一种能够提高与光电二极管连接的电源的极性的自由度、提高特性的半导体光集成元件。

本发明涉及的半导体光集成元件具有：导电性基板；激光器，其设置于该导电性基板；半绝缘性半导体层，其设置于该导电性基板之上；光电二极管，其设置于该半绝缘性半导体层之上；以及波导，其设置于该导电性基板之上，将该激光器的输出光引导至该光电二极管，该光电二极管的阳极与该光电二极管的阴极是从该光电二极管的上表面侧引出的，该波导与该光电二极管通过该半绝缘性半导体层隔离。

发明的效果

就本发明涉及的半导体光集成元件而言，导电性基板与光电二极管通过半绝缘性半导体层电隔离。因此，从光电二极管的上表面侧引出阳极和阴极双方。因此，提高了与光电二极管连接的电源的极性的自由度。并且，波导与光电二极管通过半绝缘性半导体层隔离，由此，

能够抑制无效电流。因此，能够提高特性。

附图说明

图1是实施方式1涉及的半导体光集成元件的俯视图。

图2是通过沿着直线I-II将图1的半导体光集成元件切断而得到的剖面图。

图3是通过沿着直线III-IV将图1的半导体光集成元件切断而得到的剖面图。

图4是通过沿着直线V-VI将图1的半导体光集成元件切断而得到的剖面图。