[发明专利]半导体光集成元件有效
| 申请号： | 201780095438.4 | 申请日： | 2017-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN111164475B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 松本启资;森田佳道 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;H01L31/12;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成 元件 | ||
1.一种半导体光集成元件，其特征在于，具有：
导电性基板，其具有表面和与所述表面相反侧的面即背面；
激光器，其设置于所述导电性基板的所述表面；
半绝缘性半导体层，其设置于所述导电性基板的所述表面；
光电二极管，其设置于所述半绝缘性半导体层之上；
波导，其设置于所述导电性基板的所述表面，将所述激光器的输出光引导至所述光电二极管；以及
第1电极，其设置于所述导电性基板的所述背面，
所述光电二极管的阳极与所述光电二极管的阴极是从所述光电二极管的上表面侧引出的，
所述波导与所述光电二极管通过所述半绝缘性半导体层隔离，
所述光电二极管的所述阳极以及所述阴极与所述第1电极电隔离，
所述波导具有与所述激光器的输出连接的第1波导和从所述第1波导将所述激光器的输出光的一部分分支而引导至所述光电二极管的第2波导，
所述半绝缘性半导体层沿着所述第2波导的面向所述光电二极管的受光面的端面延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述第1电极是所述激光器的电极。
3.根据权利要求1所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述导电性基板由导电性的InP形成，
所述半绝缘性半导体层由掺杂有Fe的InP形成。
4.根据权利要求2所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述导电性基板由导电性的InP形成，
所述半绝缘性半导体层由掺杂有Fe的InP形成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述光电二极管从所述导电性基板侧起依次具有n-InP包层、i-InGaAsP光吸收层和p-InP包层。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述光电二极管从所述导电性基板侧起依次具有p-InP包层、i-InGaAsP光吸收层和n-InP包层。
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