[发明专利]使用可光成像电介质、堆积膜和电解电镀的零错位双通孔结构在审
| 申请号: | 201780095308.0 | 申请日: | 2017-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN111201600A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
| 发明(设计)人: | A.阿列克索夫;V.斯特隆;B.劳林斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L25/07;H01L23/485;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;陈岚 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 成像 电介质 堆积 电解 电镀 错位 双通孔 结构 | ||
1.一种器件封装,包括;
导电焊盘上的电介质;
第一籽晶上的第一通孔,第一籽晶在导电焊盘的顶表面上,其中第一通孔延伸穿过电介质;
电介质上的导电迹线;以及
第二籽晶层上的第二通孔,第二籽晶在电介质上,其中导电迹线连接到第一通孔和第二通孔,其中第二通孔连接到导电迹线的与第一通孔相对的边缘。
2.根据权利要求1所述的器件封装,进一步包括在电介质上的导电迹线之前在电介质上的籽晶,其中籽晶电耦合到导电迹线。
3.根据权利要求1所述的器件封装,其中,导电迹线电耦合到第一通孔和第二通孔。
4.根据权利要求1所述的器件封装,进一步包括电介质、导电迹线以及第一和第二通孔上的第二电介质,其中第二电介质暴露第二通孔的顶表面。
5.根据权利要求1所述的器件封装,其中,电介质包括可光成像电介质
膜或堆积膜。
6.根据权利要求2所述的器件封装,在形成导电迹线、第一通孔和第二通孔之前,进一步包括:
籽晶上的选择性抗蚀剂,其中选择性抗蚀剂包括正色调干膜抗蚀剂材料;以及
具有一个或多个强度区域的掩模,其中掩模基于掩模的一个或多个强度区域在选择性抗蚀剂上印刷一个或多个剂量区域。
7.根据权利要求6所述的器件封装,其中,选择性抗蚀剂上的一个或多个剂量区域具有一个或多个不同的显影时间,所述显影时间图案化用于导电迹线以及第一和第二通孔的选择性抗蚀剂。
8.根据权利要求7所述的器件封装,其中选择性抗蚀剂的一个或多个不同的显影时间包括在第一剂量区域上的第一显影时间、在第二剂量区域上的第二显影时间以及在第三剂量区域上的第三显影时间。
9.根据权利要求8所述的器件封装,其中第一剂量区域被图案化以形成第一通孔,第二剂量区域被图案化以形成第二通孔,并且第三剂量区域被图案化以形成导电迹线。
10.根据权利要求1所述的器件封装,其中,导电迹线、第一通孔和第二通孔被电解电镀。
11.根据权利要求1所述的器件封装,其中,导电焊盘在透明衬底上。
12.根据权利要求11所述的器件封装,其中,透明衬底包括玻璃载体、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、电介质膜、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、有机透明材料或一种或多种透明材料。
13.根据权利要求1所述的器件封装,其中,导电迹线具有基本上等于第一通孔的线密度和第二通孔的线密度的线密度。
14.根据权利要求2所述的器件封装,在形成导电迹线、第一通孔和第二通孔之前,进一步包括在籽晶上的第一选择性抗蚀剂和第二选择性抗蚀剂,其中第二选择性抗蚀剂在第一选择性抗蚀剂上,其中第一和第二选择性抗蚀剂包括负色调干抗蚀剂材料。
15.根据权利要求14所述的器件封装,其中,堆叠的第一和第二选择性抗蚀剂被图案化以在籽晶上形成一个或多个开口,并且其中,第三抗蚀剂被沉积在一个或多个开口和第二选择性抗蚀剂上。
16.根据权利要求15所述的器件封装,其中第二选择性抗蚀剂和第三抗蚀剂被去除并图案化以形成用于第一和第二通孔的一个或多个通孔开口。
17.根据权利要求11所述的器件封装,其中,透明衬底上的导电焊盘被转移并电耦合到第二衬底。
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