[发明专利]真空蒸发源在审
申请号: | 201780094751.6 | 申请日: | 2017-09-14 |
公开(公告)号: | CN111051562A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 黃道元 | 申请(专利权)人: | 艾尔法普拉斯株式会社 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/26 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;洪欣 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 蒸发 | ||
本发明的目的是提供能够有效地加热坩埚底部的真空蒸发源。为此,本发明的方面提供了具有在壳体的内部空间中的坩埚的真空蒸发源,所述真空蒸发源包括:底部反射器,其定位于所述坩埚的底部与所述内部空间的底部表面之间形成的下部空间的上半部分中;支撑件,其设置在所述内部空间的底部表面上以支撑所述底部反射器;以及加热器,其定位于所述内部空间的侧面与所述坩埚的外侧之间并且延伸至所述底部反射器的上表面。
技术领域
本发明涉及用于在晶片或衬底上形成薄膜的真空蒸发源。
背景技术
通常,真空蒸发源加热并且蒸发用于形成薄膜的材料,以在设置在高真空室中的衬底上形成预定的薄膜。它用于在半导体制造工艺中在晶片表面上形成由特定材料制成的薄膜,或者在大型平板显示装置的制造工艺中在玻璃衬底等的表面上形成期望材料的薄膜。
图1是示意性地示出常规真空蒸发源的视图。
如图1所示,常规真空蒸发源包括由支撑杆12等支撑并且具有内部空间11的壳体10、设置在内部空间11中并且容纳用于形成薄膜的材料的坩埚20、定位于内部空间11的侧面与坩埚20的外侧之间以加热坩埚20的侧面的加热器30、设置在内部空间11的侧面与加热器30之间以将加热器30的热量反射至坩埚20的侧面的侧面反射板40、以及定位于内部空间11的底部使得加热器30的热量相对较少地传递至放置在壳体10下方的下部电子组件50(其包括电源或温度传感器)的底部反射板60。特别地,如图1所示,底部反射板60定位于内部空间11的底部处,并且加热器30的下端被放置在与坩埚20的下端基本一致的高度处。
在常规真空蒸发源中,底部反射板60定位于远离坩埚20的内部空间11的底部,并且加热器30未放置在坩埚20的下方,因此存在加热器30的热量相对较少地传递至坩埚20的底部的问题。
发明内容
技术问题
本发明的目的是提供能够有效地加热坩埚的底部的真空蒸发源。
问题的解决方案
本发明的方面提供了具有在壳体的内部空间中的坩埚的真空蒸发源,所述真空蒸发源包括:底部反射器,其定位于形成在所述坩埚的底部与所述内部空间的底部表面之间的下部空间的上半部分中;支撑件,其设置在所述内部空间的底部表面上以支撑所述底部反射器;以及加热器,其定位于所述内部空间的侧面与所述坩埚的外侧之间并且延伸至所述底部反射器的上表面。
底部反射器可以具有其中多个反射板重叠的模块形状。
定位于多个反射板的最高位置处的最上反射板可以由绝缘材料制成,并且加热器的下端可以支撑在最上反射板的上表面上。
最上反射板可以由作为绝缘材料的陶瓷制成,并且可以具有盘型。
支撑件可以包括竖直支撑件,其竖直地放置在内部空间的底部表面上;以及水平支撑件,其设置在竖直支撑件的上端,被设置成与内部空间的底部表面是水平的,并且所述底部反射器安装在所述水平支撑件上,其中竖直支撑件的高度可以确定为使得所述底部反射器被放置在下部空间的上半部分上。
根据以上描述的本发明的实施方案的真空蒸发源还可以包括设置在内部空间的底部表面上的底部反射板。
发明的有益效果
如以上描述,根据本发明的实施方案的真空蒸发源可以具有以下效果。
根据本发明的实施方案,提供了技术配置,其包括底部反射器、支撑件和加热器。因此,底部反射器可以放置靠近坩埚的底部,并且加热器的下端可以延伸至底部反射器的上表面,从而有效地加热坩埚的底部。
附图简述
图1是示意性地示出常规真空蒸发源的视图;
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