[发明专利]半导体激光装置

说明书

半导体激光装置具有半导体层，该半导体层包含有源层和夹着有源层的多个包层。有源层包含：条带状的有源区域，其向激光射出方向延伸；一对第一折射率区域，它们排列于有源区域的宽度方向，在有源区域的两旁延伸；以及一对第二折射率区域，它们排列于有源区域的宽度方向，从一对第一折射率区域的外侧夹着有源区域和一对第一折射率区域。将激光振荡波长设为λ，将激光振荡波长设为λ，将有源区域的有效折射率设为n_a，将第一折射率区域的有效折射率设为n_c，将第二折射率区域的有效折射率设为n_t，将有源区域的宽度设为w，将m设为正的整数。在该情况下，就半导体激光装置而言，n_an_tn_c，并且满足式(5)、式(8)、及式(9)的条件。

技术领域

本发明涉及半导体激光装置。

背景技术

如日本特开2014-78567号公报记载的那样，已知以选择性地使低阶模式进行振荡的方式改善后的半导体激光装置。上述公报涉及的现有的半导体激光装置具有有源区、在有源区的两旁设置的包层区域、在包层区域的更外侧设置的高折射率区域。在上述公报的图10中，特别地，通过以夹着脊部的方式在半导体层设置槽而设置了包层区域。在槽旁边存在比槽高的阶台部，处于该阶台部的下方的区域为高折射率区域。下面，将包层区域也称为“槽区域”，将高折射率区域也称为“阶台区域”。

通过适当地规定槽区域的槽宽度及槽形状，能够对槽区域处的电场的衰减的程度进行控制。由此，如上述公报的第0050段所记载的那样，在阶台区域能够对各模式设置损耗差。通过设置损耗差，从而能够使损耗大的高阶模式不进行波导，选择性地使损耗少的低阶模式振荡。通过对高阶模式下的振荡进行抑制，并且促进低阶模式下的振荡，从而能够提高射出的激光的亮度。

专利文献1：日本特开2014-78567号公报

发明内容

由于日本特开2014-78567号公报涉及的半导体激光装置以槽区域处的电场的衰减程度对阶台区域处的损耗设置了差异，因此需要严格地对槽宽度及槽形状进行控制。另外，阶台区域为振动解，因此原理上是能够将包含基本(0阶)模式的全部波导模式切断的构造。

本发明就是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于，提供以不需要槽宽度及槽形状的严格控制，无论损耗如何都能够选择性地使低阶模式进行振荡的方式改善后的半导体激光装置。

本发明涉及的半导体激光装置具有：

半导体衬底；

第一导电型包层，其设置于所述半导体衬底之上；

有源层，其设置于所述第一导电型包层之上；以及

第二导电型包层，其设置于所述有源层之上，

所述有源层包含：

有源区域，其向激光射出方向延伸，在与所述激光射出方向垂直的宽度方向具有预先确定的规定宽度；

一对第一折射率区域，它们在所述宽度方向设置于所述有源区域旁边，在所述有源区域的两旁延伸；以及

一对第二折射率区域，它们在所述宽度方向从所述一对所述第一折射率区域的外侧夹着所述有源区域及所述一对所述第一折射率区域，

在将激光振荡波长设为λ，将所述有源区域的有效折射率设为n_a，将所述第一折射率区域的有效折射率设为n_c，将所述第二折射率区域的有效折射率设为n_t，将所述有源区域的所述规定宽度设为w，将m+1设为所述宽度方向的允许模式数量的情况下，

n_an_tn_c，并且满足：