[发明专利]半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光装置，其具有：

半导体衬底；

第一导电型包层，其设置于所述半导体衬底之上；

有源层，其设置于所述第一导电型包层之上；以及

第二导电型包层，其设置于所述有源层之上，

所述有源层包含：

有源区域，其在与激光射出方向垂直的宽度方向具有预先确定的规定宽度，并且以恒定的所述规定宽度向所述激光射出方向延伸；

一对第一折射率区域，它们在所述宽度方向设置于所述有源区域旁边，在所述有源区域的两旁各自以恒定的宽度向所述激光射出方向延伸；以及

一对第二折射率区域，它们在所述宽度方向从所述一对所述第一折射率区域的外侧夹着所述有源区域及所述一对所述第一折射率区域，

在将激光振荡波长设为λ，将所述有源区域的有效折射率设为n_a，将所述第一折射率区域的有效折射率设为n_c，将所述第二折射率区域的有效折射率设为n_t，将所述有源区域的所述规定宽度设为w，将m+1设为所述宽度方向的允许模式数量的情况下，

n_an_tn_c，并且满足：

所述第二导电型包层包含条带部，该条带部设置于所述有源层的所述有源区域的上方，以恒定的宽度向所述激光射出方向延伸，

该半导体激光装置还具有绝缘膜，该绝缘膜设置于所述一对所述第一折射率区域的上方及所述一对所述第二折射率区域的上方，使所述条带部的上部露出并且从两旁夹着所述条带部，

所述绝缘膜的折射率低于所述第二导电型包层的折射率。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，

所述第二导电型包层包含一对阶台部，该一对阶台部以在所述条带部的两旁延伸的方式设置于所述有源层的所述第二折射率区域的上方，

所述绝缘膜覆盖所述一对所述阶台部的上部。

3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，

所述第二导电型包层没有设置于所述有源层的所述第二折射率区域的上方，

在所述有源层的所述第二折射率区域的上方，以在所述条带部的两旁延伸的方式设置由未掺杂半导体或氧化钛构成的一对阶台部，

所述绝缘膜覆盖所述一对所述阶台部的上部。