[发明专利]半导体光器件

说明书

半导体光器件具有：半导体衬底，其具有宽度及长度；激光器部，其设置于半导体衬底之上，包含有源层；以及光波导通路部，其设置于半导体衬底之上的激光器部的相邻处而与激光器部接合。光波导通路部包含与有源层的端部连接的芯层和将芯层夹在内侧的一对包层，该光波导通路部将从与激光器部之间的接合界面入射的光从出射端面射出。半导体光器件具有在光波导通路部的上表面设置的反射抑制层。反射抑制层叠放于光波导通路部的上表面中的长度方向上的光波导通路部的中央部，该反射抑制层设置得比光波导通路部的全长短。反射抑制层抑制朝向中央部而在包层之中行进的光在中央部被反射。

技术领域

本申请涉及半导体光器件。

背景技术

当前，例如，如日本特开平02-271583号公报所记载的那样，已知在包层之上设置了光吸收层的半导体光器件。半导体光器件具有：激光器部，其具有有源层；以及光波导通路部，其对由激光器部产生的激光进行导波。光波导通路部包含与有源层接合的芯层和夹着该芯层的上包层及下包层。就该现有的半导体光器件而言，在上包层或下包层的至少一者，与芯层平行地层叠有光吸收层。光吸收层具有与有源层同等的带隙、或者比有源层窄的带隙。

专利文献1：日本特开平2-271583号公报

发明内容

如果在有源层与芯层之间的接合界面处产生散射光，则该散射光在上包层及下包层传输。如果散射光由上包层的上表面或下包层的下表面反射而在光波导通路部进行导波，则散射光有可能从半导体光器件的出射端面传递至光纤。这样的散射光成为光噪声，光噪声导致信号品质变差。

对于这一点，就上述现有的半导体光集成器件而言，遍及光波导通路部的全长而在上包层或下包层设置有光吸收层。在光吸收层与上包层之间的界面处或光吸收层与下包层之间的界面处能够将散射光吸收。由此，能够抑制光噪声。此外，光波导通路部的一端是与激光器部之间的对接界面。光波导通路部的另一端是半导体光器件的出射端面。光波导通路部的全长是从对接界面到出射端面为止的长度。

如果光吸收层是遍及光波导通路部的全长而设置的，则光吸收层将向芯层之外泄漏的所需的信号光的一部分吸收。如果由于光吸收而使信号光强度减弱，则光功率下降或动作电流上升。其结果，存在半导体光器件的电光学特性变差这一问题。

本申请的目的在于提供以能够兼顾光噪声抑制和良好的电光学特性这两者的方式进行了改善的半导体光器件。

在本申请中公开的半导体光器件的一种方案具有：

半导体衬底，其具有宽度及长度；

激光器部，其设置于所述半导体衬底之上，包含有源层；

光波导通路部，其包含层叠于所述半导体衬底的下包层、层叠于所述下包层而与所述有源层的端部连接的芯层、以及层叠于所述芯层的上包层，该光波导通路部在所述半导体衬底之上设置于所述长度方向上的所述激光器部的相邻处；以及

反射抑制层，其设置于所述上包层的上表面和所述上包层的内部的所述芯层的上方中的任一处，该反射抑制层具有比所述光波导通路部的全长短的长度，配置于所述长度方向上的所述光波导通路部的中央。

发明的效果

根据上述半导体光器件，用于抑制光噪声的反射抑制层形成得比光波导通路部的全长短，因而能够抑制信号光强度减弱。由此，能够兼顾光噪声抑制和良好的电光学特性这两者。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件的剖面图。

图2是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件的放大剖面图。

图3是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件的剖面图。

图4是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件的剖面图。