[发明专利]半导体光器件有效
| 申请号： | 201780094518.8 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN111052520B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 渊田步;境野刚;上辻哲也;中村直干 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 器件 | ||
1.一种半导体光器件，其具有：
半导体衬底，其具有宽度及长度；
激光器部，其设置于所述半导体衬底之上，包含有源层；
光波导通路部，其包含层叠于所述半导体衬底的下包层、层叠于所述下包层而与所述有源层的端部连接的芯层、以及层叠于所述芯层的上包层，该光波导通路部在所述半导体衬底之上设置于所述长度方向上的所述激光器部的相邻处；以及
反射抑制层，其设置于所述上包层的上表面和所述上包层的内部的所述芯层的上方中的任一处，该反射抑制层具有比所述光波导通路部的全长短的长度，配置于所述长度方向上的所述光波导通路部的中央，
所述反射抑制层具有在所述激光器部侧设置的一端和与所述一端相反侧的另一端，
所述反射抑制层的所述一端在所述长度方向上与所述激光器部和所述光波导通路部之间的边界相距预先确定的规定距离。
2.一种半导体光器件，其具有：
半导体衬底，其具有宽度及长度；
激光器部，其设置于所述半导体衬底之上，包含有源层；
光波导通路部，其包含层叠于所述半导体衬底的下包层、层叠于所述下包层而与所述有源层的端部连接的芯层、以及层叠于所述芯层的上包层，该光波导通路部在所述半导体衬底之上设置于所述长度方向上的所述激光器部的相邻处；以及
反射抑制层，其设置于所述上包层的上表面和所述上包层的内部的所述芯层的上方中的任一处，该反射抑制层具有比所述光波导通路部的全长短的长度，
所述反射抑制层具有在所述激光器部侧设置的一端和与所述一端相反侧的另一端，
所述反射抑制层的所述一端在所述长度方向上与所述激光器部和所述光波导通路部之间的边界相距预先确定的规定距离，
所述光波导通路部具有射出信号光的出射端面，
所述反射抑制层在所述长度方向上从所述光波导通路部的中央向所述激光器部侧延伸，
所述反射抑制层在所述长度方向上未设置于与所述光波导通路部的所述中央相比更靠所述出射端面侧。
3.根据权利要求1或2所述的半导体光器件，其中，
在将所述上包层的厚度设为d1、将所述上包层的全反射临界角设为θC、将所述规定距离设为d2时，
d2≤d1×tanθC。
4.根据权利要求1或2所述的半导体光器件，其中，
所述反射抑制层是由带隙小于或等于所述有源层的带隙的材料构成的光吸收层。
5.根据权利要求1或2所述的半导体光器件，其中，
所述反射抑制层是叠放于所述上包层的所述上表面处的防反射膜。
6.根据权利要求1或2所述的半导体光器件，其中，
所述反射抑制层是叠放于所述上包层的所述上表面处的衍射光栅。
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