[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

半导体装置的连接件的一端部包含：水平部；第一倾斜部，其相连于水平部且位于比水平部更靠近一端部的前端侧的同时，具有从水平部向下方倾斜的形状；以及控制用折弯部，其相连于第一倾斜部且位于一端部的前端的同时，被折弯成沿着折弯轴方向向下方突出，控制用折弯部的下端面侧与第二端子的上端面相接触。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，例如有一种半导体装置(参照专利文献1)已被普遍知晓，其为：将半导体元件放置在基板的导体层上，并经由焊锡等导电性接合材料以连接件来接合该半导体元件与引线框，并且该半导体元件与基板被封装树脂封装。

在这种以往的半导体装置中，例如在为了连接诸如栅极夹(gate clip)等连接件与半导体元件(MOSFET或1GBT)而使用焊锡材料等导电性接合材料的情况下，在维持焊锡粒径并减少焊锡量方面存在着限度，并且越缩小焊锡粒径就越增加成本。

而且，为了在不减少焊锡量的情况下抑制异电极间的焊锡桥，就必须确保接触于连接件的焊锡材料不会从输入有半导体元件的控制信号的栅极焊盘(端子)的上端面溢出。

此外，在考虑到电气性能后，由于必须要减小栅极焊盘的面积且加大源极焊盘的面积，因此栅极夹与栅极焊盘的接合部就必须尽可能地减小。

例如图14所示，在以往的半导体装置中，与半导体元件的栅极焊盘TG相连接的栅极夹GC的一端具有：向下侧冲压的冲压部GC1以及折弯部GC2。

由于焊锡材料被该冲压部GC1与折弯部GC2压扁，因此在空隙(clearance)不充分的情况下，会导致焊锡材料从栅极焊盘TG的上端面溢出。

所以，就必须要扩大栅极焊盘TG的面积(图14)。此外，由于该冲压部GC1与折弯部GC2至少需要冲压工序与折弯工序这两个工序，因此制造成本也会上升。

如上所述，在以往的半导体装置中，在对应于输入有控制信号的端子(栅极焊盘)的形状，将连接于该端子的连接件(栅极焊盘)的连接部分的加工变得容易的同时，在接合该端子与连接件时，存在着无法抑制导电性接合材料从该端子的上端面溢出的问题。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：特开2015-12065号公报

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种半导体装置，其能够在对应于输入有控制信号的端子的形状，使连接于该端子的连接件的接合部分的加工变得容易的同时，在接合该端子与连接件时，抑制导电性接合材料从该端子的上端面溢出。

发明内容

根据本发明的一种形态所涉及的实施方式中的半导体装置，其特征在于，包括：

基板，在其上端面设置有第一导电层以及第二导电层；

半导体元件，其配置于所述基板的所述上端面，并且具有：设置在其下端面且被电连接于所述第一导电层的第一端子；以及设置在其上端面且输入有控制用信号的第二端子；

封装部，封装所述基板以及半导体元件；

引线框，其一端部与在所述封装部内的所述基板的上端面的端部处设置的第二导电层的上端面相接触，其另一端部从所述封装部露出；

第一控制用导电性接合材料，其在所述基板的所述端部处将所述第二导电层与所述引线框的所述一端部之间接合且具有导电性；

连接件，其一端部在所述封装部内与所述半导体元件的所述第二端子的上端面相接触，其另一端部与所述第二导电层相接触，并且其将所述第二导电层与所述半导体元件的上端面的第二端子之间电连接；