[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780093210.1 申请日: 2017-10-26
公开(公告)号: CN110892527B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 梅田宗一郎;久德淳志 申请(专利权)人: 新电元工业株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 郁旦蓉
地址: 日本国东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

基板,在其上端面设置有第一导电层以及第二导电层;

半导体元件,其配置于所述基板的所述上端面,并且具有:设置在其下端面且被电连接于所述第一导电层的第一端子;以及设置在其上端面且输入有控制用信号的第二端子;

封装部,封装所述基板以及半导体元件;

引线框,其一端部与在所述封装部内的所述基板的上端面的端部处设置的第二导电层的上端面相接触,其另一端部从所述封装部露出;

第一控制用导电性接合材料,其在所述基板的所述端部处将所述第二导电层与所述引线框的所述一端部之间接合且具有导电性;

连接件,其一端部在所述封装部内与所述半导体元件的所述第二端子的上端面相接触,其另一端部与所述第二导电层相接触,并且其将所述第二导电层与所述半导体元件的上端面的第二端子之间电连接;

第二控制用导电性接合材料,其将所述半导体元件的所述第二端子的上端面与所述连接件的所述一端部之间接合且具有导电性;以及

第三控制用导电性接合材料,其将所述基板的所述第二导电层与所述连接件的所述另一端部之间接合且具有导电性,

其中,所述连接件的所述一端部包含:

水平部;

第一倾斜部,其相连于所述水平部且位于比所述水平部更靠近所述一端部的前端侧的同时,具有从所述水平部向下方倾斜的形状;以及

控制用折弯部,其相连于所述第一倾斜部且位于所述一端部的前端的同时,被折弯成沿着折弯轴方向向下方突出,

所述控制用折弯部的下端面侧与所述第二端子的上端面相接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述控制用折弯部的下端面侧与所述第二端子的上端面的中心相接触。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述控制用折弯部的下端面侧与所述第二端子的上端面在所述折弯轴方向线接触。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述连接件的厚度比所述引线框的厚度更薄。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述连接件进一步包含:

基准部,其在与所述第一倾斜部相反的一侧上与所述水平部Xc相连且具有比所述水平部的宽度更大的宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述连接件的所述另一端部包含:

第二倾斜部,其在与所述水平部相反的一侧上相连于所述基准部且位于比所述基准部更靠近所述另一端部的前端侧的同时,具有从所述基准部向下方倾斜的形状;以及

前端部,其相连于所述第二倾斜部且位于所述另一端部的前端,

所述前端部通过第三控制用导电性接合材料来与所述基板的所述第二导电层的上端面相接合。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述连接件的所述控制用折弯部的下端面距离所述基板的高度比所述前端部的下端面距离所述基板的高度更高。

8.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述第二控制用导电性接合材料被沿着所述连接件的所述控制用折弯部与所述第二端子的上端面线接触的所述折弯轴方向配置,并且将所述第二端子的上端面与所述控制用折弯部的下端面侧之间接合。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述第二端子的上端面具有长方形的形状,

所述第二控制用导电性接合材料位于将所述第二端子的上端面的中心包围的位置上,从而接合所述连接件的所述控制用折弯部的下端面与所述第二端子的上端面之间。

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