[发明专利]等离子体产生系统

权利要求书

1.一种等离子体产生系统，其特征在于，具备：

照射头，向设于反应室的电极供给电力而产生使处理气体等离子体化的等离子体气体，并将所产生的所述等离子体气体向被处理体照射；及

温度传感器，检测所述等离子体气体的温度，并输出与检测出的温度对应的检测信号，

所述温度传感器配置在从所述照射头的照射所述等离子体气体的照射口离开的位置，并由所述照射头照射所述等离子体气体，

所述照射头构成为能够在所述被处理体与所述温度传感器之间移动，

所述等离子体产生系统还具备：

移动装置，使所述照射头移动；及

控制装置，由所述温度传感器输出的所述检测信号输入到该控制装置，

所述控制装置执行如下的处理：

检测处理，控制所述移动装置，使所述照射头移动至所述温度传感器的位置，向所述温度传感器照射所述等离子体气体并检测温度；及

照射处理，控制所述移动装置，使所述照射头移动至所述被处理体的位置，向所述被处理体照射所述等离子体气体，

所述照射头具有：加热器，对加热用的气体进行加热；及第二温度传感器，检测所述加热器的温度并输出与所检测出的温度对应的第二检测信号，所述照射头将由所述加热器加热后的加热气体向所述被处理体喷出，

所述控制装置输入所述第二检测信号，并基于由所述温度传感器检测出的温度而提高所述加热器的温度来加快所述等离子体气体的温度上升，在所述等离子体气体的温度超过了允许温度的情况下，所述控制装置基于由所述温度传感器检测出的所述等离子体气体的温度而降低所述加热器的温度来控制所述等离子体气体的温度。

2.根据权利要求1所述的等离子体产生系统，其中，

在所述检测处理中，所述控制装置将所述温度传感器与所述照射头之间的距离设定为基准距离来检测温度，所述基准距离是基于所述照射处理中的所述被处理体与所述照射头之间的距离而得到的距离。

3.根据权利要求1所述的等离子体产生系统，其中，

在所述检测处理中，所述控制装置根据判定为所述等离子体气体的温度达到了允许温度而使所述照射头移动至所述被处理体的位置，来执行所述照射处理。

4.根据权利要求2所述的等离子体产生系统，其中，

在所述检测处理中，所述控制装置根据判定为所述等离子体气体的温度达到了允许温度而使所述照射头移动至所述被处理体的位置，来执行所述照射处理。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体产生系统，其中，

在所述检测处理中，所述控制装置根据所述等离子体气体的温度超过了允许温度而增大所述照射头与所述温度传感器之间的距离来进行调整以使所述等离子体气体的温度成为所述允许温度，

在所述照射处理中，所述控制装置将所述被处理体与所述照射头之间的距离变更为调整后的距离，并向所述被处理体照射所述等离子体气体。