[发明专利]吸附装置、搬运装置以及EL设备制造装置在审
申请号: | 201780088908.4 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN110462811A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 间城文彦 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B23Q3/08 |
代理公司: | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人: | 叶乙梅<国际申请>=PCT/JP2017 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸附垫 吸附装置 吸附 多孔材料 平均孔径 变形的 对象物 薄膜 | ||
1.一种吸附装置,其包括一个以上的吸附垫,并经由所述吸附垫吸附对象物,其特征在于,
所述吸附垫由平均孔径为1.0μm以下的多孔材料形成。
2.根据权利要求1所述的吸附装置,其特征在于,
所述吸附装置包括多个吸附垫,并通过所述多个吸附垫吸附所述对象物的多个位置。
3.根据权利要求2所述的吸附装置,其特征在于,
所述多个吸附垫的每一个可以单独地设定吸附所述对象物的吸附力。
4.根据权利要求2或3所述的吸附装置,其特征在于,
所述多个吸附垫等间隔地配置。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的吸附装置,其特征在于,
所述吸附装置设置有所述多个吸附垫,并包括三个以上的臂部,所述三个以上的臂部中,位于内侧的臂部上设置有与位于两侧的臂部所设置的吸附垫相比数量多的吸附垫。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的吸附装置,其特征在于,
所述吸附垫吸附所述对象物的吸附表面在垂直方向上朝向上方向。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的吸附装置,其特征在于,
所述平均孔径为0.1μm以上且0.5μm以下。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的吸附装置,其特征在于,
所述多孔材料的原材料含有聚酰亚胺。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的吸附装置,其特征在于,
所述多孔材料的气孔率在30%以上且50%以下。
10.一种吸附方法,其经由吸附垫吸附对象物的吸附方法,其特征在于,
所述吸附垫由平均孔径为1.0μm以下的多孔材料形成。
11.一种搬运装置,其特征在于,
所述搬运装置包括权利要求1~9任一项所述的吸附装置,并搬运由所述吸附装置吸附的所述对象物。
12.一种EL设备制造装置,其特征在于,
所述EL设备制造装置包括权利要求11所述的搬运装置,所述对象物为EL设备的基板。
13.根据权利要求12所述的EL设备制造装置,其特征在于,
在所述EL设备的行方向以及列方向上分别配置有多个所述吸附垫。
14.根据权利要求12或13所述的EL设备制造装置,其特征在于,
所述吸附垫不吸附与所述EL设备的显示部对应的所述对象物的区域,且吸附与所述EL设备的非显示部对应的所述对象物的区域的多个位置。
15.一种EL设备的制造方法,其特征在于,
所述制造方法包括通过权利要求11所述的搬运装置搬运EL设备的基板的搬运工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造