[发明专利]带电粒子束装置

说明书

带电粒子束装置具备：带电粒子源，其射出带电粒子束；助推电极，其配置于带电粒子源与试样之间，形成带电粒子束的通路，并且对上述带电粒子束进行加减速；第一磁极片，其形成为覆盖助推电极；第二磁极片，其形成为覆盖第一磁极片；第一透镜线圈，其配置于第一磁极片的外侧，并且配置于上述第二磁极片的内侧，且形成第一透镜；第二透镜线圈，其配置于第二磁极片的外侧且形成第二透镜；以及控制电极，其形成于第一磁极片的前端部与第二磁极片的前端部之间，且控制形成于试样与第二磁极片的前端部之间的电场。

技术领域

本发明涉及带电粒子束装置。

背景技术

在带电粒子束装置中，公开有使用层叠电场透镜而成的助推型的磁场透镜的技术(参照专利文献1)。专利文献1的物镜的优点例如为减速静电场引起的低能量观察下的高分辨率。

现有专利文献

专利文献

专利文献1：日本特开平1－298633号公报

发明内容

发明所要解决的课题

根据专利文献1，存在有时根据试样的状况，分辨率变差的问题。例如，在试样表面具有凹凸的情况下、试样相对于带电粒子束通过的光轴倾斜的情况下，形成于试样上的电场透镜歪斜，发生物镜的性能劣化。

因此，本发明的目的在于提供一种带电粒子束装置，通过抑制电场透镜的歪斜，能够实现高分辨率观察。

用于解决课题的方案

本发明的一方案的带电粒子束装置具备：带电粒子源，其射出带电粒子束；助推电极，其配置于带电粒子源与试样之间，形成带电粒子束的通路，并且对上述带电粒子束进行加减速；第一磁极片，其形成为覆盖助推电极；第二磁极片，其形成为覆盖第一磁极片；第一透镜线圈，其配置于第一磁极片的外侧，并且配置于上述第二磁极片的内侧，且形成第一透镜；第二透镜线圈，其配置于第二磁极片的外侧且形成第二透镜；以及控制电极，其形成于第一磁极片的前端部与第二磁极片的前端部之间，且控制形成于试样与第二磁极片的前端部之间的电场。

发明效果

根据本发明，能够提供一种带电粒子束装置，通过抑制电场透镜的歪斜，能够实现高分辨率观察。

附图说明

图1是SEM的概略图。

图2是SEM的详细图。

图3是减速电场的概略图。

图4是形成物镜的各种部件的分割单元的剖视图。

图5是向分割部位搭载的箱体内检测器的剖视图。

图6是分割单元的固定方法的概略图。

图7是向控制电极导入电压的方法的概略图。

图8是FIB－SEM的概略图。

具体实施方式

在以下的实施例中，作为带电粒子束装置的一方案，以扫描电子显微镜(以下、SEM)为例来说明，但不限于此，例如，也可应用于聚焦离子束-扫描电子显微镜复合装置(以下，FIB－SEM)、扫描透射电子显微镜(STEM)等。

实施例1

图1是SEM的概略图。该SEM具备：向试样103照射一次带电粒子束(在此为一次电子束)的SEM箱体102；搭载该箱体102且在观察时容纳试样的试样室101；搭载试样室101的架台100；显示图像的监视器(显示部)104；以及控制SEM整体的系统的控制部105。