[发明专利]用于检查集成电路的动态更新有效
申请号: | 201780085176.3 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN110291622B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 张兆礼;林杰;刘华玉;俞宗强 | 申请(专利权)人: | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人: | 李洁;魏文浩 |
地址: | 100176 北京经济*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检查 集成电路 动态 更新 | ||
1.一种用于检查集成电路的方法,所述方法包括:
监控集成电路的检查以接收检查数据,其中所述检查数据包括机器数据和缺陷检测结果;将所述检查数据存储在数据库中;基于所述机器数据经由所述数据库修改与所述检查相关联的多个配置方案文件中的至少一个配置方案文件;以及基于所述缺陷检测结果经由所述数据库修改与所述检查相关联的多个软件参数中的至少一个软件参数;
响应于在所述检查期间检测到新的感兴趣缺陷来利用与所述新的感兴趣缺陷相关联的图案数据更新所述数据库;
经由所述数据库修改所述多个配置方案文件中的所述至少一个配置方案文件的关注区域参数,以扫描与所述图案数据相关联的关注区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述机器数据包括检查机器条件参数和扫描电子显微镜(SEM)图像中的任一个。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,基于所述机器数据经由所述数据库修改与所述检查相关联的多个配置方案文件中的至少一个配置方案文件包括:
响应于所述检查机器条件参数的变化,经由所述数据库修改所述多个配置方案文件中的至少一个配置方案文件的机器设置参数和扫描条件参数中的任一个,以改进所述检查的扫描性能。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,基于所述机器数据经由所述数据库修改与所述检查相关联的多个配置方案文件中的至少一个配置方案文件包括:
响应于检查所述扫描电子显微镜图像,修改所述多个配置方案文件中的所述至少一个配置方案文件的扫描条件参数以改进扫描电子显微镜图像生成。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,基于所述缺陷检测结果经由所述数据库修改与所述检查相关联的多个软件参数中的至少一个软件参数包括:
响应于检查所述缺陷检测结果,经由所述数据库修改所述多个软件参数中的所述至少一个软件参数的阈值参数和灵敏度参数中的任一个,以改进所述检查的缺陷检测。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,在所述检查期间对新的感兴趣缺陷的检测基于所述阈值参数和所述灵敏度参数中的任一个。
7.一种用于检查集成电路的系统,所述系统包括: 处理器;和 存储器,所述存储器包括指令,所述指令能够由所述处理器执行以: 监控集成电路的检查以接收检查数据,其中所述检查数据包括机器数据和缺陷检测结果; 将所述检查数据存储在数据库中; 基于所述机器数据经由所述数据库修改与所述检查相关联的多个配置方案文件中的至少一个配置方案文件;和 基于所述缺陷检测结果经由所述数据库修改与所述检查相关联的多个软件参数中的至少一个软件参数;
响应于在所述检查期间检测到新的感兴趣缺陷来利用与所述新的感兴趣缺陷相关联的图案数据更新所述数据库的指令;
经由所述数据库修改所述多个配置方案文件中的所述至少一个配置方案文件的关注区域参数以扫描与所述图案数据相关联的关注区域的指令。
8.根据权利要求7所述的系统,其中,所述机器数据包括检查机器条件参数和扫描电子显微镜(SEM)图像中的任一个。
9.根据权利要求8所述的系统,其中,基于所述机器数据经由所述数据库修改与所述检查相关联的多个配置方案文件中的至少一个配置方案文件包括: 响应于所述检查机器条件参数的变化,经由所述数据库修改所述多个配置方案文件中的所述至少一个配置方案文件的机器设置参数和扫描条件参数中的任一个,以改进所述检查的扫描性能。
10.根据权利要求8所述的系统,其中,基于所述机器数据经由所述数据库修改与所述检查相关联的多个配置方案文件中的至少一个配置方案文件包括: 响应于检查所述扫描电子显微镜图像,修改所述多个配置方案文件中的所述至少一个配置方案文件的扫描条件参数以改进扫描电子显微镜图像生成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造