[发明专利]用于识别集成电路缺陷的方法和系统

说明书

本发明提供了用于识别集成电路中缺陷的方法和系统。所述方法包括：接收与集成电路相关联的图形的输入数据；使用所述输入数据确定与图形的特征相关联的特征数据；使用所述输入数据、所述特征数据和缺陷检测技术确定与图形相关联的缺陷检测结果；以及使用所述缺陷检测结果确定缺陷识别结果。所述系统包括处理器和存储器。存储器连接到处理器，并且并且在被配置之后，进行存储指令集：用以接收与集成电路相关联的图形的输入数据；用以使用所述输入数据确定与图形的特征相关联的特征数据；用以使用所述输入数据、所述特征数据和缺陷检测技术确定与图形相关联的缺陷检测结果；以及用以使用所述缺陷检测结果确定缺陷识别结果。

技术领域

本公开涉及集成电路，并且更具体地涉及用于识别集成电路的缺陷方法和系统。

背景技术

集成电路(Integrated Circuit，简称IC)的制造是在诸如晶片的衬底上进行的多步骤过程。通常在每个晶片上制造多个IC，并且每个IC可以被称为Die或die。Die检查是制造工艺的一个步骤。检查系统能够检测在制造工艺期间发生的缺陷。光学晶片检查系统已经通常用于晶片和/或Die检查。

发明内容

本文公开了用于集成电路的缺陷识别的方法和系统的方面、特征、元件和实施方式。

在第一方面中，提供了一种用于识别集成电路的缺陷的方法。该方法包括：接收与集成电路相关的图形的输入数据；使用所述输入数据确定与图形的特征相关联的特征数据；使用所述输入数据、所述特征数据和缺陷检测技术确定与图形相关联的缺陷检测结果；以及使用所述缺陷检测结果确定缺陷识别结果。

可选地，输入数据包括与图形相关联的扫描电子显微镜(Scanning ElectronMicroscope，简称SEM)图像、与图形相关联的参考图像以及与图形的设计布局相关联的设计数据中的任一种，其中所述SEM图像由高分辨率检查系统确定。

可选地，高分辨率检查系统包括电子束检查系统。

可选地，特征数据包括以下所述中的任意一个：由所述SEM图像确定的SEM图像轮廓、由所述参考图像确定的参考图像轮廓、由所述设计数据确定的与所述图形相关联的多边形、由所述多边形确定的渲染图像、通过图像处理技术由所述渲染图像确定的经处理图像、通过SEM图像仿真技术基于所述多边形确定的仿真SEM图像、以及由所述仿真SEM图像确定的仿真SEM图像轮廓。

可选地，使用所述输入数据确定与所述图形的特征相关联的特征数据包括：基于所述设计数据确定辅助数据，其中所述设计数据包括图形设计系统(Graphic DesignSystem，简称GDS)数据；和由所述辅助数据确定所述多边形，其中由所述辅助数据确定所述多边形的速度比由所述设计数据确定所述多边形的速度快。

可选地，使用所述输入数据、所述特征数据和缺陷检测技术确定与所述图形相关联的缺陷检测结果包括以下所述中的任意一个：确定在第一SEM图像与第二SEM图像之间是否存在匹配，其中第一SEM图像和第二SEM图像与图形相关联并且由高分辨率检查系统确定；和确定在第一数据集中的一个数据与第二数据集中的一个数据之间是否存在匹配，其中所述第一数据集包括所述SEM图像和所述SEM图像轮廓，而所述第二数据集包括多边形、参考图像、渲染图像、经处理图像、仿真SEM图像、参考图像轮廓和仿真SEM图像轮廓。

可选地，使用缺陷检测结果确定缺陷识别结果包括：使用执行所述缺陷检测结果的加权组合的一种学习技术来确定缺陷识别结果。

可选地，学习技术包括决策树技术和增强技术中的任一种。

在第二方面中，提供了一种用于识别集成电路的缺陷的系统，包括处理器和连接到该处理器的存储器。所述存储器包括可由处理器执行以下操作的指令：接收与集成电路相关联的图形的输入数据；使用所述输入数据确定与图形的特征相关联的特征数据；使用所述输入数据、所述特征数据和缺陷检测技术确定与图形相关联的缺陷检测结果；以及使用所述缺陷检测结果确定缺陷识别结果。