[发明专利]半导体基板清洗剂

说明书

本发明提供能够在不腐蚀金属的情况下除去附着于半导体基板的金属抛光屑等杂质、并防止上述杂质的再附着的清洗剂。本发明的半导体基板清洗剂至少含有下述成分(A)及成分(B)。成分(A)：重均分子量为100以上且低于10000的水溶性低聚物；成分(B)：水。作为上述水溶性低聚物，优选为选自下述式(a‑1)～(a‑3)所示的化合物中的至少一种化合物。R^a1O‑(C₃H₆O₂)_n‑H(a‑1)；R^a2O‑(R^a3O)_n’‑H(a‑2)；(R^a4)_3‑s‑N‑[(R^a5O)_n‑H]_s(a‑3)。

技术领域

本发明涉及用于除去附着于半导体基板的金属抛光屑等杂质的用途的清洗剂。本申请要求基于2017年1月17日在日本提出申请的日本特愿2017-006051号的优先权，并在此引用其内容。

背景技术

随着半导体元件的高集成化的发展，在半导体基板表面形成了叠合有若干层金属布线的多层布线结构。例如，为了层叠多层铜布线，主要采用的是镶嵌法，所述镶嵌法包括：利用镀敷法等使铜沉积在设置了具有布线图案形状的凹陷的绝缘膜上，然后，通过使用了抛光材料的化学机械抛光(CMP)等对表面进行平坦化，由此除去沉积在凹陷以外的部分的铜。

CMP后的半导体基板会被金属抛光屑、抛光材料等杂质所污染，而该杂质会成为导致布线短路、电阻增高的原因，因此需要清除干净。

作为上述杂质的除去方法，已知有利用酸性清洗剂(例如，氢氟酸)、碱性清洗剂(例如，氨水溶液)进行清洗的方法。但是，上述酸性清洗剂、碱性清洗剂存在腐蚀金属布线的隐患，如果清洗直到将杂质完全除去为止，则会因金属布线的腐蚀进行而难以同时满足杂质的清洗性和金属布线的防腐蚀性。

专利文献1中记载了含有草酸等有机酸化合物的清洗剂。专利文献2中记载了含有胺的清洗剂。专利文献3中记载了包含草酸、丙二酸等脂肪族多元羧酸和多元醇或单醚体的清洗剂。另外，专利文献4中记载了包含氧化乙烯型表面活性剂、水、以及有机酸或碱的清洗剂。其中，对于任一清洗剂，均记载了能够在不腐蚀金属的情况下除去杂质。但是，利用上述清洗剂剥离后的杂质容易再附着于半导体基板，存在即使使用上述清洗剂进行清洗也无法充分获得防止布线短路、电阻增高的效果的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-07071号公报

专利文献2：日本再表2001-71789号公报

专利文献3：日本特开2004-307725号公报

专利文献4：日本特开2003-289060号公报

发明内容

发明要解决的课题

因此，本发明的目的在于提供能够在不腐蚀金属的情况下除去附着于半导体基板的金属抛光屑等杂质、并防止上述杂质的再附着的清洗剂。

解决课题的方法

本发明人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，包含下述成分的清洗剂能够在不腐蚀形成布线等的金属的情况下除去附着于半导体基板的金属抛光屑等杂质，而且可以防止被除去后的杂质的再附着。本发明是基于这些见解而完成的。

即，本发明提供一种半导体基板清洗剂，其至少含有下述成分(A)及成分(B)。

成分(A)：重均分子量为100以上且低于10000的水溶性低聚物；

成分(B)：水。