[发明专利]半导体基板清洗剂

权利要求书

1.一种半导体基板清洗剂，其至少含有下述成分A及成分B、且氯化物离子含量为0.01～50ppm，

成分A：下述式(a-1)所示的化合物，其重均分子量为500以上且低于10000，

R^a1O-(C₃H₆O₂)_n-H (a-1)

式(a-1)中，

R^a1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1～18的烃基、或碳原子数2～24的酰基，

n表示括号内所示的甘油单元的平均聚合度，为2～60的整数；

成分B：水。

2.根据权利要求1所述的半导体基板清洗剂，其含有下述成分C，

成分C：胺。

3.根据权利要求2所述的半导体基板清洗剂，其中，成分C为下述式(c5)所示的烷醇胺，

式(c5)中，

R^c1’、R^c2’相同或不同，为氢原子或脂肪族烃基，

R^c3’为具有羟基的脂肪族烃基。

4.根据权利要求2所述的半导体基板清洗剂，其中，相对于1重量份的成分A，成分C的含量为0.1～2.0重量份。

5.一种半导体基板清洗剂，其至少含有下述成分A、成分B及成分C，且相对于1重量份的成分A，成分C的含量为0.1～2.0重量份，

成分A：选自下述式(a-2)所示的化合物及下述式(a-3)所示的化合物中的至少一种化合物，其重均分子量为500以上且低于10000，

R^a2O-(R^a3O)_n’-H (a-2)

式(a-2)中，

R^a2表示氢原子、碳原子数1～18的烃基、或碳原子数2～24的酰基，

R^a3表示亚乙基或亚丙基，

n’表示括号内所示的氧化乙烯或氧化丙烯单元的平均聚合度，为2～60的整数，

(R^a4)_3-s-N-[(R^a5O)_n-H]_s (a-3)

式(a-3)中，

R^a4表示碳原子数1～20的烷基，

R^a5表示亚乙基或亚丙基，

n”表示圆括号内所示的氧化乙烯或氧化丙烯单元的平均聚合度，为3～15的整数，

s表示1或2，在s为1时，2个R^a4任选相同或不同，另外，在s为2时，2个方括号内的基团任选相同或不同；

成分B：水；

成分C：下述式(c5’)所示的烷醇胺，

式(c5’)中，

R^c1’、R^c2’为脂肪族烃基，

R^c3’为具有羟基的脂肪族烃基。

6.根据权利要求5所述的半导体基板清洗剂，其中，氯化物离子含量为0.01～50ppm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体基板清洗剂，其中，成分A的含量为半导体基板清洗剂总量的0.1重量％以上。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体基板清洗剂，其中，相对于1重量份的成分A，含有0.1～3.0重量份的下述成分D，

成分D：过氧化氢。

9.一种半导体元件的制造方法，该方法通过重复下述工序而制造具有多层布线结构的半导体元件，

工序1：在半导体基板上借助层间绝缘膜而形成金属布线，

工序2：对半导体基板的金属布线形成面实施平坦化处理，

工序3：使用权利要求1～8中任一项所述的半导体基板清洗剂对实施了平坦化处理的半导体基板进行清洗。