[发明专利]确定特征的位置的方法

说明书

本发明提供一种用于确定涉及衬底的特征的位置的方法、系统和程序。所述方法包括：测量所述特征的位置；接收所述特征的预期方位；和基于对涉及衬底上的第一层的第一参考特征相对于涉及衬底上的第二层的第二参考特征的相对位置的知晓来确定置放误差的估计。可使用更新位置来定位包括所述特征的所述衬底的所述层，或所述衬底的另一层，或另一衬底的另一层。本发明也提供一种用于控制衬底的定位的方法、系统和程序。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年12月23日提交的欧洲/美国申请16206732.6的优先权，所述申请的全部内容以引用的方式并入本发明中。

技术领域

本发明涉及一种用于确定以衬底为涉及的特征的位置的方法、系统和用于控制衬底的定位的程序。

背景技术

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上的机器，通常施加到衬底的目标部分上。光刻设备能够用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。所述图案的转印通常经由将图案成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层来进行。通常，单个衬底将包括被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。这些目标部分通常被称作“场”。

在光刻过程中，例如为了过程控制和验证，需要经常测量形成电路图案所产生的结构。用于进行这些测量的各种工具是公知的，包括经常用来测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜，和用来测量重叠的专用工具，重叠是至少部分图案化的衬底中的两个层的对准的准确度。

能够使用各种技术来测量光刻过程的性能。这进而允许在由光刻设备执行的操作的控制中包括复杂的过程校正。例如，如下文所描述的反馈系统通常是公知的以用于通过测量系统中的衬底的两个不同层之间的定位误差来对衬底的定位进行校正。衬底的两个不同层之间的定位误差被称为重叠误差。

在曝光衬底之前对准所述衬底。对准的目标是针对每个衬底确定场中心和局部失真，以限制所述衬底的层之间的重叠误差。这是通过测量印制于所述衬底的至少一个层上的对准标记而实现。将对准标记的预期位置与测量位置之间的差用作用于所述对准模型的输入。所述对准模型(可以基于线性对准或高阶对准)给出包括用于在所述衬底的后续曝光期间对所述衬底的位置进行优化的参数的输出。

为了进一步控制定位中的误差，所使用的反馈系统经常被称为自动化过程控制(APC)系统。所述APC系统针对多个衬底来测量所述重叠误差，并且确定了用以减少重叠误差所需的校正。随后将这些校正用作用于未来曝光的输入。所述APC系统通常包括每次曝光的高阶校正。因为仅在每批次基础上进行重叠误差的测量，所以APC系统预期校正缓慢改变的重叠误差。所述APC系统预期校正层与层之间和批次与批次之间变化的效应。

这些校正通常对由于例如过程变化、夹持变化和/或温度变化所引起的衬底的变形进行校正。这些效应可每衬底显著地变化，且针对重叠误差使用基于批次的APC控制的过程仍引起所述衬底的定位中的不希望的误差。

此外，由于光刻设备的投影系统中的温度变化，可能引入变化。所述温度变化可能影响照射条件，所述照射条件以不同方式影响不同掩模。尽管所述APC控制试图考虑这些变化，仍存在由于跨越整个投影系统的温度改变而引起的不希望的误差。

发明内容

本发明的目的在于改进确定涉及衬底的特征的位置，和改进对于衬底的定位的控制。