[发明专利]光刻设备及器件制造方法

说明书

一种浸没式光刻设备包括：支撑台(WT)，配置成支撑具有至少一个目标部分(C)的物体(W)；投影系统(PS)，配置成将图案化的束投影至所述物体上；定位器(PW)，配置成相对于所述投影系统移动所述支撑台；液体限制结构(12)，配置成使用通过形成在所述液体限制结构中的一系列开口(60，300)进入和/或离开所述液体限制结构的流体流将液体限制至所述投影系统与所述物体和/或所述支撑台的表面之间的浸没空间；和控制器，配置成控制所述定位器使所述支撑台遵循由一系列的运动构成的路线来移动和控制所述液体限制结构，其中每一运动包括所述支撑台相对于所述液体限制结构移动，使得从不在所述液体限制结构下方移动至在所述液体限制结构下方的所述支撑台的部分在所述液体限制结构的前边缘下方穿过和从在所述液体限制结构下方移动至不在所述液体限制结构下方的所述支撑台的部分在所述液体限制结构的后边缘下方穿过，所述控制器被调适以：预测在所述浸没空间的边缘越过所述物体的边缘的所述系列的运动中的至少一个运动期间所述液体是否将被从所述浸没空间损失，和如果预测到从所述浸没空间的液体损失，则修改所述流体流，使得在被预测到液体损失的运动或被预测到液体的损失的所述运动后续的所述系列运动中的运动期间进入或离开在所述流体限制结构的前边缘处的所述系列开口中的开口的第一流体流量不同于进入或离开在所述浸没限制结构的后边缘处的所述系列开口中的开口的第二流体流量。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年12月14日递交的欧洲中请16203967.1和2017年3月27日递交的欧洲申请17163003.1的优先权，通过引用将其全文并入本发明中。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和使用光刻设备制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情形下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单个层上的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转印典型地经由将图案成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层来进行。通常，单个衬底将包括被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与所述方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

在浸没式光刻设备中，通过液体限制结构将液体限制至浸没空间。浸没空间在通过其使图案成像的投影系统的最终光学元件与图案被转印到的衬底上或衬底被保持在其上的衬底台之间。液体可以通过流体密封件限制至浸没空间。液体限制结构可以产生或使用气流，例如以帮助控制液体在浸没空间中的流动和/或位置。气流可以帮助形成密封以将液体限制至浸没空间。

施加至衬底的图案中的缺陷是不期望的，这是因为它们降低了良率，即，每个衬底可用的器件的数量。因为需要许多图案形成步骤来制造器件，所以甚至每次曝光的非常低的缺陷率可以显著地降低良率。存在两种浸没式光刻设备所特有的缺陷。

来自浸没空间的液体滴或液体膜(在下述中提及的滴也涵盖膜；膜为覆盖较大表面积的滴)可以在目标部分的曝光之后留在衬底上。如果所述滴与抗蚀剂接触了显著的时间段，则其可以通过浸出而使抗蚀剂分解。如果所述滴蒸发，则其可能留下碎屑和/或可以引起局部冷却。由滴留在衬底上而导致的缺陷(无论是通过抗蚀剂分解或蒸发)在本文中被称为踪迹缺陷。

如果气泡形成于浸没液体中，则发生对于浸没式光刻设备所特有的第二种形式的缺陷。如果气泡移动到用于将图案形成装置的图像投影至衬底上的投影束的路径中，则所投影图像将失真。气泡的一种来源是当在浸没空间与衬底之间的相对运动期间在衬底上的所逃逸的液体与浸没空间中的液体碰撞时。由气泡造成的缺陷在本文中被称为曝光缺陷。

踪迹缺陷和曝光缺陷可能造成对于除衬底以外的物体(诸如传感器)的问题。