[发明专利]光刻设备及器件制造方法

权利要求书

1.一种用于光刻设备的流体处理结构，所述流体处理结构具有包括形成在其中的第一系列开口的抽取器、包括形成在其中的第二系列开口且在所述抽取器径向外部的气刀系统、和配置成在所述抽取器与所述气刀系统之间提供气体的至少一个另外的开口，

第一系列开口、第二系列开口和所述至少一个另外的开口被朝向衬底和/或被配置成支撑所述衬底的支撑台指向，其中所述第一系列开口、所述第二系列开口和所述至少一个另外的开口的第一子组与第一腔室流体连通，所述第一系列和所述第二系列开口和所述至少一个另外的开口的第二子组与第二腔室流体连通。

2.根据权利要求1所述的流体处理结构，其中通过所述第二系列开口和至少一个另外的开口的流体流量能够根据所述支撑台的移动的方向进行控制。

3.根据权利要求2所述的流体处理结构，其中所述流体流量在所述流体处理结构的前边缘处被增大以便于将在所述流体处理结构的路径中保留在所述支撑台上的浸没流体推离，或其中所述流体流量被减小由此允许在所述流体处理结构的路径中的浸没流体被重新吸收到浸没空间中或通过所述第一系列开口被抽取。

4.根据权利要求2所述的流体处理结构，其中所述流体流量在所述流体处理结构的后边缘处被增大使得较不发生浸没流体的泄漏。

5.根据权利要求1所述的流体处理结构，包括被结合在一起的第一构件和第二构件以便于限定它们之间的所述第一腔室和所述第二腔室。

6.根据权利要求5所述的流体处理结构，其中所述第二构件包括在所述第二系列开口的两个相邻的开口之间从所述第二系列开口的一侧延伸到所述第二系列开口的另一侧的一部分。

7.根据权利要求6所述的流体处理结构，其中凹陷被形成在所述第一构件中与所述部分从所述第二腔室突出的第一侧相对的所述第二系列开口的第二侧上，使得所述部分延伸到所述凹陷中。

8.根据权利要求7所述流体处理结构，其中在所述第二系列开口的所述两个相邻的开口之间的所述部分的第一部比在所述凹陷中的所述部分的第二部更薄。

9.根据权利要求6、7或8所述的流体处理结构，其中腔体被形成，且所述腔体的侧面被部分地限定在所述部分中和被部分地限定在所述第一构件中。

10.根据权利要求9所述的流体处理结构，还包括定位在所述腔体中的第三构件以便于在所述第一腔室和第二腔室之间形成密封件。

11.根据权利要求7或8所述的流体处理结构，其中所述部分的前边缘和所述凹陷具有一起构造成形成迷宫式密封件的互补表面。