[发明专利]层压体和电子组件制造方法

说明书

[问题]提供在衬底上具有能够在固化前的工业生产步骤中使用的各种类型的加工过程中保护衬底的凝胶层的层压体，所述凝胶层具有优异的耐热性、柔软性和柔韧性、低弹性模量、低应力、优异的应力缓冲特性和电子组件保持特性，并且所述凝胶层在固化前具有较高的形状保持性，但在固化后变为具有优异剥离特性的硬质层，所述层压体即使在固化层局部化时，也易于从衬底释放，并且提供其应用(如电子组件制造方法)。[解决方案]层压体，其包含层压的可反应固化的硅凝胶和通过粘合剂层层压在可反应固化的硅凝胶顶部的片状构件，及其用途。

技术领域

本发明提供一种层压体，其包含可反应固化的硅凝胶，所述硅凝胶在固化反应后经历从在电子组件上具有优异的形状保持性的软凝胶层到硬固化层的物理特性的变化，和通过粘合剂层层压在凝胶上的片状构件，并且提供使用这种层压体的电子组件的制造方法。

背景技术

硅凝胶通常用于保护光学应用、汽车电子组件和消费电子组件的阻尼材料，因为通过固化具有低交联密度的反应性官能团的有机聚硅氧烷可以获得具有优异的耐热性、耐候性、耐油性、耐寒性和电绝缘性的硅凝胶，并且因为与普通弹性体产品不同，硅凝胶具有低弹性模量、低应力和优异的应力缓冲特性，同时呈凝胶状(参见例如，专利文献1-7)。特别地，因为硅凝胶是柔软的，易于变形的，并且能够与衬底的不均匀表面相符，所以与硅酮弹性体和硬质固化产物不同，它遵循不均匀衬底的轮廓而不留下间隙或分离。

然而，硅凝胶是凝胶状的，因此对变形很弱并且易受外部应力如振动和因温度变化所致的膨胀和收缩引起的内部应力的破坏。当硅凝胶欲与需要凝胶保护、粘附和应力缓冲的电子组件分离或被切割(例如，在切割操作中)时，粘性沉积物或破碎但粘结的凝胶可能残留在电子组件上，并且该凝胶可能不容易从基材或电子组件上去除。这些凝胶沉积物可能导致电子组件变得有缺陷，例如，通过损害半导体上的安装，并且可能导致最终产品变得有缺陷。然而，当增加有机聚硅氧烷的交联密度以促进凝胶的完全固化时，硅凝胶的有利特性，例如低弹性、低应力和优异的应力缓冲特性丧失，凝胶层很难符合不均匀衬底并且出现间隙以及与衬底的分离。由于这些原因，现有技术的固化硅凝胶材料和硅酮弹性体的问题仍未解决。

在粘合剂膜和半导体密封剂领域，已经提出了可固化组合物，其中固化反应在不同的固化反应条件下以多个阶段发生。例如，在专利文献8中，进行两步固化反应，其中第一阶段的固化提供切割工艺中所需的粘性，并且第二阶段的固化提供强粘合性。还公开了适用于切割/裸片接合粘合片的热固性组合物。在专利文献9中，本申请人提出了一种可固化的硅酮组合物，其具有优异的初始可固化性，即使在250℃或更高的高温下也能保持高的物理强度。

然而，在使用多步固化工艺的现有技术的可固化组合物中，既没有描述也没有提出硅凝胶的形成和从软凝胶变为硬的完全固化产物的技术优点。

本申请人提出了能够解决这些问题的可反应固化的硅凝胶，使用这些硅凝胶的层压体，以及使用这些层压体制造电子组件的方法(专利文献10，专利文献11)。使用这些可反应固化的硅凝胶的层压体对于解决上述问题非常有用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP S59-204259 A

专利文献2：JP S61-048945 A

专利文献3：JP S62-104145 A

专利文献4：JP 2003-213132 A(JP 3,865,638 B2)

专利文献5：JP 2012-017458 A(JP 5,594,232 B2)

专利文献6：WO 2015/155950 A1(JP 5,794,229 B2)

专利文献7：JP 2011-153249 A

专利文献8：JP 2007-191629 A(JP 4,628,270 B2)